[发明专利]信号处理电路有效

专利信息
申请号: 200710127365.0 申请日: 2007-07-02
公开(公告)号: CN101340177A 公开(公告)日: 2009-01-07
发明(设计)人: 李朝政;陈奕光 申请(专利权)人: 瑞昱半导体股份有限公司
主分类号: H03F1/32 分类号: H03F1/32;H03F1/02
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 蒲迈文;黄小临
地址: 中国台湾新*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 信号 处理 电路
【权利要求书】:

1.一种信号处理电路,包含:

一AB类输入级电路,用来接收一输入信号,并且根据该输入信号产生一内部信号;

一AB类输出级电路,耦接至该AB类输入级电路,包含:

一偏压电路,用来根据该内部信号,以产生一第一偏压信号与一第二偏压信号;以及

一输出电路,耦接至该偏压电路,用来根据该第一偏压信号与该第二偏压信号以产生一输出信号;

其中,该偏压电路所产生的该第一偏压信号与该第二偏压信号的一压差是与该输入信号相对应,并且在输入的差模电压为零时第一偏压与第二偏压信号的电压差大于当有信号输入时第一偏压信号与第二偏压信号的电压差。

2.如权利要求1所述的信号处理电路,其中该偏压电路是以前馈偏压的方式,产生该第一偏压信号与一第二偏压信号。

3.如权利要求1所述信号处理电路,其中该偏压电路包含有:

一第一电流源,用来提供一第一预定电流;

一第二电流源,用来提供一第二预定电流;以及

一阻抗单元,耦接于该第一、该第二电流源之间,该阻抗单元依据该第一、该第二预定电流以产生该第一偏压信号与该第二偏压信号。

4.如权利要求3所述的信号处理电路,其中该阻抗单元包含:

一第一NMOS晶体管,其栅极接收一第一预定电压;以及

一第二PMOS晶体管,其栅极接收一第二预定电压;

其中,该第二PMOS晶体管的源极耦接至该第一NMOS晶体管的漏极,该第二PMOS晶体管的漏极耦接至该第一NMOS晶体管的源极。

5.如权利要求1所述的信号处理电路,其中该输入信号为一差动信号,该内部信号为一第一电流信号与一第二电流信号并流入该偏压电路中,且该第一电流信号与该第二电流信号的一电流和与该差动信号的一差模电压相对应。

6.一种信号处理电路,包含:

一输入级电路,用来接收一输入信号,并且根据该输入信号产生一第一电流信号与一第二电流信号;以及

一输出级电路,耦接至该输入级电路,包含:

一电压产生电路,耦接至该输入级电路,用来根据该第一电流信号与一第二电流信号以提供一压差;以及

一输出电路,耦接至该电压产生电路,用来根据该压差以产生一输出信号;

其中,该第一电流信号与该第二电流信号的一电流和是与该输入信号的一摆幅相对应,并且在输入的差模电压为零时该压差大于当有信号输入时该压差。

7.如权利要求6所述的信号处理电路,其中该电压产生电路是以前馈偏压的方式产生该压差。

8.如权利要求7所述的信号处理电路,其中该偏压电路包含有:

一第一电流源,用来提供一第一预定电流;

一第二电流源,用来提供一第二预定电流;以及

一阻抗单元,耦接于该第一、该第二电流源之间,该阻抗单元依据该第一预定电流、该第二预定电流、该第一电流信号与该第二电流信号以产生该压差。

9.如权利要求8所述的信号处理电路,其中该阻抗单元包含:

一第一NMOS晶体管,其栅极接收一第一预定电压;以及

一第二PMOS晶体管,其栅极接收一第二预定电压;

其中,该第二PMOS晶体管的源极耦接至该第一NMOS晶体管的漏极,该第二PMOS晶体管的漏极耦接至该第一NMOS晶体管的源极。

10.如权利要求9所述的信号处理电路,其中该输入级电路为一AB类输入级电路。

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