[发明专利]存储装置有效
| 申请号: | 200710127235.7 | 申请日: | 2007-07-03 |
| 公开(公告)号: | CN101101788A | 公开(公告)日: | 2008-01-09 |
| 发明(设计)人: | 五十岚实 | 申请(专利权)人: | 索尼株式会社 |
| 主分类号: | G11C11/16 | 分类号: | G11C11/16;H01F10/32 |
| 代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 余刚;吴孟秋 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 存储 装置 | ||
1.一种存储装置,包括:
存储元件,包括基于磁性材料的磁化状态保持信息的存储层和磁化方向固定并通过非磁性层针对所述存储层设置的磁化固定层,电流在所述存储元件的堆叠方向上流动以改变所述存储层的磁化方向,从而将信息记录在所述存储层中;
第一布线,提供在所述存储元件的所述堆叠方向上流动的电流;以及
第二布线,提供电流以向所述存储元件施加电流磁场,其中
当记录信息时,向所述第一布线提供第一脉冲电流,向所述第二布线提供第二脉冲电流,并且,在所述第一脉冲电流下降至少10皮秒后,所述第二脉冲电流下降。
2.根据权利要求1所述的存储装置,其中
所述存储元件中的所述存储层的附近配置有在所述堆叠方向上被磁化的磁性层。
3.根据权利要求2所述的存储装置,其中
所述第一脉冲电流的持续时间和所述第二脉冲电流的持续时间为10纳秒以下。
4.根据权利要求1所述的存储装置,其中
所述第一布线和所述第二布线近似平行地配置,所述第一布线和所述第二布线周围配置有具有高磁导率的磁性材料,所述电流磁场从所述磁性材料的边缘施加给所述存储元件。
5.根据权利要求4所述的存储装置,其中
所述磁性材料的磁导率为1以上。
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