[发明专利]发光元件有效
| 申请号: | 200710127162.1 | 申请日: | 2007-07-04 |
| 公开(公告)号: | CN101340752A | 公开(公告)日: | 2009-01-07 |
| 发明(设计)人: | 谢明勋;姚久琳 | 申请(专利权)人: | 晶元光电股份有限公司 |
| 主分类号: | H05B33/22 | 分类号: | H05B33/22;F21V5/00;F21Y101/02 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 陶凤波 |
| 地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 发光 元件 | ||
1.一种发光元件,包含:
半导体发光叠层,具有出光面;以及
光场调变层,位于该出光面上,其中,该光场调变层包含至少第一层及第二层,该第一层较该第二层接近该半导体发光叠层,且该第一层的折射系数小于该第二层的折射系数,
其中,所述第一层和第二层中与所述半导体发光叠层的出光面直接接触的层是所述第一层,由所述半导体发光叠层发出的光部分穿过所述光场调变层摘出。
2.如权利要求1所述的发光元件,其中,该光场调变层包含多个该第一层及该第二层。
3.如权利要求1所述的发光元件,其中,该第一层及第二层为材料相同的一单层结构,该单层结构的折射系数自第一层向第二层递增。
4.如权利要求1所述的发光元件,其中该半导体包含:n型半导体层、p型半导体层、以及介于这些半导体层之间的有源层。
5.如权利要求1所述的发光元件,其中,在该半导体发光叠层上还包含至少一电极。
6.如权利要求5所述的发光元件,其中,该光场调变层覆盖该电极部分的上表面。
7.如权利要求5所述的发光元件,其中,该光场调变层位于该半导体发光叠层上且环绕该电极周围。
8.如权利要求5所述的发光元件,其中,在该半导体发光叠层及该电极之间还包含第一氧化物透明导电层。
9.如权利要求1所述的发光元件,其中至少该第一层及该第二层之一为不导电材料。
10.如权利要求9所述的发光元件,其中该层不导电材料包含选自SiO2、SiNx、SiON、ZrO2、Ta2O5、Al2O3及TiO2所构成材料组中的至少一种材料。
11.如权利要求1所述的发光元件,其中该第一层及/或该第二层包含选自氧化铟锡、氧化镉锡、氧化锌、及氧化锌锡所构成材料组中的至少一种材料。
12.如权利要求1所述的发光元件,其中该半导体发光叠层包含粗糙的上表面。
13.如权利要求12所述的发光元件,其中该粗糙的上表面包含一图案化表面。
14.如权利要求13所述的发光元件,其中该粗糙的上表面包含多孔穴表面。
15.如权利要求1所述的发光元件,其中,还包含位于该半导体发光叠层下方的基板。
16.如权利要求15所述的发光元件,其中,该基板及该半导体发光叠层的界面为粗糙面。
17.如权利要求15所述的发光元件,其中,在该半导体发光叠层及该基板之间还包含第一接合界面。
18.如权利要求17所述的发光元件,其中,在该半导体发光叠层及该基板之间还包含粘结层,该第一接合界面位于粘结层及半导体发光叠层之间;以及第二接合界面位于粘结层及基板之间。
19.如权利要求18所述的发光元件,其中,在该粘结层为介电粘结层或金属粘结层。
20.如权利要求19所述的发光元件,其中,该介电粘结层包含选自聚酰亚胺、苯环丁烯、及过氟环丁烷所构成材料组中的至少一种材料。
21.如权利要求19所述的发光元件,其中,该金属粘结层包含选自铟、锡、及金锡合金所构成材料组群中的至少一种材料。
22.如权利要求18所述的发光元件,其中该半导体发光叠层部分上表面为粗糙的上表面。
23.如权利要求18所述的发光元件,其中至少该第一接合界面及该第一接合界面之一为粗糙面。
24.如权利要求18所述发光元件,其中,在该半导体发光叠层及该粘结层之间还包含第二氧化物透明导电层。
25.如权利要求18所述发光元件,其中,在该粘结层上下其中一侧还包含反射层。
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