[发明专利]显示装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，其包括如下工序：

通过排出第一包含导电性材料的组合物在具有绝缘表面的衬底上形成框状的第一导电层；以及

通过在由框状的所述第一导电层包围的区域中排出第二包含导电性材料的组合物形成第二导电层。

2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中连续排出所述第一包含导电性材料的组合物，并且间歇排出所述第二包含导电性材料的组合物。

3.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中所述第一导电层的厚度大于所述第二导电层的厚度。

4.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中像素电极层包括所述第一导电层和所述第二导电层。

5.一种半导体装置的制造方法，其包括如下工序：

通过排出第一包含导电性材料的组合物在具有绝缘表面的衬底上形成框状的第一导电层；以及

通过在由框状的所述第一导电层包围的区域中排出第二包含导电性材料的组合物形成第二导电层，

其中所述第一包含导电性材料的组合物的粘度高于所述第二包含导电性材料的组合物的粘度。

6.根据权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其中连续排出所述第一包含导电性材料的组合物，并且间歇排出所述第二包含导电性材料的组合物。

7.根据权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其中所述第一导电层的厚度大于所述第二导电层的厚度。

8.根据权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其中像素电极层包括所述第一导电层和所述第二导电层。

9.一种半导体装置的制造方法，其包括如下工序：

通过排出第一包含导电性材料的组合物在具有绝缘表面的衬底上形成框状的第一导电层；以及

通过在由框状的所述第一导电层包围的区域中排出第二包含导电性材料的组合物形成第二导电层，

其中所述第一包含导电性材料的组合物相对于所述具有绝缘表面的衬底的润湿性低于所述第二包含导电性材料的组合物相对于所述具有绝缘表面的衬底的润湿性。

10.根据权利要求9所述的半导体装置的制造方法，其中连续排出所述第一包含导电性材料的组合物，并且间歇排出所述第二包含导电性材料的组合物。

11.根据权利要求9所述的半导体装置的制造方法，其中所述第一导电层的厚度大于所述第二导电层的厚度。

12.根据权利要求9所述的半导体装置的制造方法，其中像素电极层包括所述第一导电层和所述第二导电层。

13.一种半导体装置的制造方法，其包括如下工序：

形成第一导电层；

在所述第一导电层上形成绝缘层；

通过利用激光束选择性地照射所述第一导电层及所述绝缘层，去除所述第一导电层的照射区的一部分及所述绝缘层的照射区，从而在所述第一导电层及所述绝缘层中形成开口；以及

通过将包含导电性材料的组合物排出到所述开口中来形成与所述第一导电层电连接的第二导电层。

14.根据权利要求13所述的半导体装置的制造方法，其中所述第二导电层是框状的，并且在框状的所述第二导电层中形成第三导电层。

15.根据权利要求13所述的半导体装置的制造方法，其中所述第一导电层包含铬、钼、镍、钛、钴、铜和铝中的至少一种。

16.根据权利要求13所述的半导体装置的制造方法，其中所述激光束透过所述绝缘层。

17.根据权利要求13所述的半导体装置的制造方法，其中所述绝缘层包含有机树脂。

18.一种半导体装置的制造方法，包括如下工序：

形成第一导电层；

在所述第一导电层上形成第二导电层；

在所述第一导电层及所述第二导电层上形成绝缘层；

通过利用激光束选择性地照射所述第一导电层、所述第二导电层、以及所述绝缘层，去除所述第二导电层的照射区及所述绝缘层的照射区，从而在所述第二导电层及所述绝缘层中形成开口；以及

通过将包含导电性材料的组合物排出到所述开口中形成电连接到所述第一导电层及所述第二导电层的第三导电层。