[发明专利]显示装置以及电子器械

权利要求书

1.一种装置，包括：

含有空穴传输性有机化合物和对所述空穴传输性有机化合物显示电子接受性的金属氧化物的透光导电膜，

其中，所述透光导电膜为像素电极。

2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述像素电极形成在绝缘表面上并与该绝缘表面接触。

3.根据权利要求1所述的装置，其中，所述透光导电膜在450nm以上至800nm以下的波长区域中没有吸收峰。

4.根据权利要求1所述的装置，其中，所述空穴传输性有机化合物具有1×10^-6cm²/Vs以上的空穴迁移率。

5.根据权利要求1所述的装置，其中，所述空穴传输性有机化合物为芳香胺化合物、咔唑衍生物、芳烃或高分子化合物。

6.根据权利要求5所述的装置，其中，所述芳香胺化合物为选自N，N’-二(对甲苯基)-N，N’-二苯基-对苯二胺(缩写：DTDPPA)；4，4’-双[N-(4-二苯基氨基苯基)-N-苯基氨基]联苯(缩写：DPAB)；4，4’-双(N-{4-[N-(3-甲基苯基)-N-苯基氨基]苯基}-N-苯基氨基)联苯(缩写：DNTPD)；以及1，3，5-三[N-(4-二苯基氨基苯基)-N-苯基氨基]苯(缩写：DPA3B)中的一种或多种。

7.根据权利要求5所述的装置，其中，所述咔唑衍生物为选自3-[N-(9-苯基咔唑-3-基)-N-苯基氨基]-9-苯基咔唑(缩写：PCzPCA1)；3，6-双[N-(9-苯基咔唑-3-基)-N-苯基氨基]-9-苯基咔唑(缩写：PCzPCA2)；以及3-[N-(1-萘基)-N-(9-苯基咔唑-3-基)氨基]-9-苯基咔唑(缩写：PCzPCN1)；4，4’-二(N-咔唑基)联苯(缩写：CBP)；1，3，5-三[4-(N-咔唑基)苯基]苯(缩写：TCPB)；9-[4-(N-咔唑基)]苯基-10-苯基蒽(缩写：CzPA)；以及2，3，5，6-四苯基-1，4-双[4-(N-咔唑基)苯基]苯中的一种或多种。

8.根据权利要求5所述的装置，其中，所述芳烃为选自9，10-二(萘-2-基)-2-叔丁基蒽(缩写：t-BuDNA)；9，10-二(萘-1-基)-2-叔丁基蒽；9，10-双(3，5-二苯基苯基)蒽(缩写：DPPA)；9，10-二(4-苯基苯基)-2-叔丁基蒽(缩写：t-BuDBA)；9，10-二(萘-2-基)蒽(缩写：DNA)；9，10-二苯基蒽(缩写：DPAnth)；2-叔丁基蒽(缩写：t-BuAnth)；9，10-二(4-甲基萘-1-基)蒽(缩写：DMNA)；2-叔丁基-9，10-双[2-(萘-1-基)苯基]蒽；9，10-双[2-(萘-1-基)苯基]蒽；2，3，6，7-四甲基-9，10-二(萘-1-基)蒽；2，3，6，7-四甲基-9，10-二(萘-2-基)蒽；9，9’-联二蒽；10，10’-二苯基-9，9’-联二蒽；10，10’-二(2-苯基苯基)-9，9’-联二蒽；10，10’-双[(2，3，4，5，6-五苯基)苯基]-9，9’-联二蒽；蒽；并四苯；红荧烯；二萘嵌苯；2，5，8，11-四(叔丁基)二萘嵌苯；4，4’-双(2，2-二苯基乙烯基)联苯(缩写：DPVBi)；以及9，10-双[4-(2，2-二苯基乙烯基)苯基]蒽(缩写：DPVPA)中的一种或多种。

9.根据权利要求5所述的装置，其中，所述高分子化合物为选自聚{4-[N-(4-二苯氨基苯基)-N-苯基]氨基苯乙烯}(缩写：PStDPA)、聚{4-[N-(9-咔唑-3-基)-N-苯胺]苯乙烯}(缩写：PStPCA)、聚(N-乙烯基咔唑)(缩写：PVK)和聚(4-乙烯基三苯胺)(缩写：PVTPA)中的一种或多种。

10.根据权利要求1所述的装置，其中，所述金属氧化物为过渡金属氧化物。

11.根据权利要求1所述的装置，其中，所述金属氧化物为属于元素周期表第4至8族的金属的氧化物。

12.根据权利要求1所述的装置，其中，所述金属氧化物为选自氧化钒、氧化铌、氧化钽、氧化铬、氧化钼、氧化钨、氧化锰和氧化铼中的一种或多种。

13.根据权利要求1所述的装置，其中，所述装置为液晶显示装置。