[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，所述半导体器件包括存储元件，所述存储元 件包括：

第一电极；

在所述第一电极上的包含第一金属氧化物的第一层；

在所述第一层上的包含第二金属氧化物的第二层；

在所述第二层上的包含有机化合物的有机层；以及

在所述有机层上的第二电极，

其中，所述第一金属氧化物和所述第二金属氧化物中的一个是p 型半导体，另一个是n型半导体。

2.根据权利要求1的半导体器件，

其中，所述第一金属氧化物选自镍氧化物、钴氧化物、铁氧化物、 锰氧化物、铋氧化物、铬氧化物、铬酸镧、锰酸镧。

3.根据权利要求1的半导体器件，

其中，所述第二金属氧化物选自锌氧化物、钛氧化物、铁氧化物、 钛酸钡、锡氧化物、钾氧化物。

4.根据权利要求1的半导体器件，

其中，所述第一电极设置在挠性衬底上。

5.根据权利要求1的半导体器件，还包括天线和用来驱动所述 半导体器件的驱动电路，

其中，所述驱动电路电连接到所述天线。

6.一种半导体器件，所述半导体器件包括存储元件，所述存储元 件包括：

第一电极；

在所述第一电极上的包含有机化合物的有机层；

在所述有机层上的包含第一金属氧化物的第一层；

在所述第一层上的包含第二金属氧化物的第二层；以及

在所述第二层上的第二电极，

其中，所述第一金属氧化物和所述第二金属氧化物中的一个是p 型半导体，另一个是n型半导体。

7.根据权利要求6的半导体器件，

其中，所述第一金属氧化物选自镍氧化物、钴氧化物、铁氧化物、 锰氧化物、铋氧化物、铬氧化物、铬酸镧、锰酸镧。

8.根据权利要求6的半导体器件，

其中，所述第二金属氧化物选自锌氧化物、钛氧化物、铁氧化物、 钛酸钡、锡氧化物、钾氧化物。

9.根据权利要求6的半导体器件，

其中，所述第一电极设置在挠性衬底上。

10.根据权利要求6的半导体器件，还包括天线和用来驱动所述 半导体器件的驱动电路，

其中，所述驱动电路电连接到所述天线。

11.一种半导体器件，所述半导体器件包括存储元件，所述存储 元件包括：

第一电极；

在所述第一电极上的包含第一金属氧化物的第一层；

在所述第一层上的包含有机化合物的有机层；

在所述有机层上的包含第二金属氧化物的第二层；以及

在所述第二层上的第二电极，

其中，所述第一金属氧化物和所述第二金属氧化物中的一个是p 型半导体，另一个是n型半导体。

12.根据权利要求11的半导体器件，

其中，所述第一金属氧化物选自镍氧化物、钴氧化物、铁氧化物、 锰氧化物、铋氧化物、铬氧化物、铬酸镧、锰酸镧。

13.根据权利要求11的半导体器件，

其中，所述第二金属氧化物选自锌氧化物、钛氧化物、铁氧化物、 钛酸钡、锡氧化物、钾氧化物。

14.根据权利要求11的半导体器件，

其中，所述第一电极设置在挠性衬底上。

15.根据权利要求11的半导体器件，还包括天线和用来驱动所 述半导体器件的驱动电路，

其中，所述驱动电路电连接到所述天线。