[发明专利]成膜装置和使用该装置的方法

权利要求书

1.一种成膜装置的使用方法，具备：

在所述成膜装置的反应室内，在被处理基板上形成选自氮化硅膜和氧氮化硅膜中的制品膜的工序；

从所述反应室卸载所述被处理基板的工序；

然后，对附着在所述反应室的内面上的副生成物膜进行氮化的工序，此处，将所述反应室的所述内面加热至比形成所述制品膜时的温度高的后处理温度，并且将氮化用的后处理气体供给至所述反应室内，所述后处理气体包含氨气，所述反应室内所述氨气具有8000Pa以上的分压；

通过将所述反应室的所述内面从所述后处理温度急冷，利用热应力使氮化后的所述副生成物膜龟裂，并从所述反应室的所述内面剥离的工序；和

通过对所述反应室内进行强制排气，将由此从所述内面剥离的所述副生成物膜的部分载入气流中，从所述反应室内排出的工序。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述气流由所述后处理气体形成。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述制品膜的工序，将所述被处理基板设定为成膜温度，并将包含含硅气体的第一成膜气体和包含氮气或氧氮化气体的第二成膜气体供给至所述反应室内，利用CVD进行。

4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第一和第二成膜气体中的至少一种，在利用等离子体被活化的状态下供给至所述反应室内。

5.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述后处理气体具备与所述第二成膜气体相同的气体。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述反应室的所述内面以选自石英和碳化硅中的材料为主要成分。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述形成制品膜的工序中，所述被处理基板被支撑在保持具上，并且在所述卸载被处理基板的工序中，所述保持具在支撑所述被处理基板的状态下从所述反应室被卸载，

所述方法还具备在所述对副生成物膜进行氮化的工序之前，将在不支撑被处理基板的状态的所述保持具装入所述反应室的工序。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述保持具，以在垂直方向隔开间隔重叠的状态支撑多块被处理基板。

9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述后处理温度设定为600～850℃。

10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，将所述内面从所述后处理温度急冷的工序具备：将所述内面从所述后处理温度以10～25℃/分钟的冷却速度冷却至小于400℃的工序。

11.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述成膜温度设定为400～650℃。

12.如权利要求1所述的方法，其特征在于，对所述副生成物膜进行氮化的工序具备：利用配置在所述反应室周围的加热器从外侧对所述反应室内进行加热的工序；急冷所述反应室的所述内面的工序具备：利用冷却气体，从外侧对所述反应室的所述内面进行冷却的工序。

13.如权利要求12所述的方法，其特征在于，急冷所述反应室的所述内面的工序具备：从下方将所述冷却气体供给至包围所述反应室和所述加热器的壳体内，从所述壳体的上部将所述冷却气体排出的工序。