[发明专利]电子元件有效

专利信息
申请号: 200710125102.6 申请日: 2007-12-12
公开(公告)号: CN101458975A 公开(公告)日: 2009-06-17
发明(设计)人: 李群庆;姜开利;刘亮;范守善 申请(专利权)人: 清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
主分类号: H01B5/14 分类号: H01B5/14;C01B31/00;G06F3/041
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 100084北京市海淀区清华园1*** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 电子元件
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种电子元件,尤其涉及一种用于偏振片、电极电池、场发射显示等领域的含有透明导电层的电子元件。

背景技术

从1991年日本科学家Iijima首次发现碳纳米管(Carbon Nanotube,CNT)以来(Iilima S.,Nature,vol 354,p56(1991)),以碳纳米管为代表的纳米材料以其独特的结构和性质引起了人们极大的关注。近几年来,随着碳纳米管及纳米材料研究的不断深入,其广阔应用前景不断显现出来。例如,由于碳纳米管所具有的独特的电磁学、光学、力学、化学性能等,大量有关其在场发射电子源、传感器、新型光学材料、软铁磁材料等领域的应用研究不断被报道。

碳纳米管层是碳纳米管实际应用的一种重要形式。具体地,碳纳米管层已被研究用作场发射源、光电和生物传感器、电池电极、吸波材料、水净化材料、发光材料等。

现有技术中的液晶显示器(LCD)、等离子显示器(PDP)、电致发光显示器(EL/OLED)、触摸屏(Touch Panel)、太阳能电池以及其它电子仪表通常需要一个具有透明导电层的电子元件,该电子元件通常包括一基体和一透明导电层。上述的透明导电层通常采用ITO层。上述的ITO层目前主要采用溅射或蒸镀等方法制备,在制备的过程,需要较高的真空环境及加热到200~300℃,因此,使得ITO层的制备成本较高,从而相应地使的电子元件得成本较高。另外,由于ITO层的机械和化学耐用性不够好及ITO层作透明导电层存在电阻阻值分布不均匀等缺点,导致了现有的电子元件的性能不好。

因此,确有必要提供一种电子元件,该电子元件的透明导电层具有成本低、机械性能优异、阻值分布均匀及透光性好等优点。

发明内容

一种电子元件,该电子元件包括一基体;一透明导电层,该透明导电层设置于上述基体的一表面上。其中,所述透明导电层为由多个碳纳米管组成的至少一碳纳米管层,所述碳纳米管层中的碳纳米管沿固定方向择优取向排列。

与现有技术的电子元件相比较,本技术方案提供的电子元件具有以下优点:其一,由于碳纳米管层具有很好的韧性和机械强度,故,采用碳纳米管层作透明导电层,可以相应的提高电子元件的耐用性。其二,由于碳纳米管层具有较均匀的结构,故,采用碳纳米管层作透明导电层,可使得透明导电层具有均匀的电阻,从而提高电子元件的性能。其三,由于本技术方案的碳纳米管层可通过直接铺设作透明导电层,而无需溅射和加热等工艺,故,降低了电子元件的制作成本。

附图说明

图1是本技术方案实施例的电子元件的结构示意图。

图2是沿图1所示的线II-II’的剖视图。

图3是本技术方案实施例的透明导电层的碳纳米管薄膜的扫描电镜图。

具体实施方式

以下将结合附图详细说明本技术方案的触摸屏及显示装置。

请参阅图1和图2,本技术方案实施例提供一种电子元件30包括一基体22和一透明导电层24。透明导电层24设置在基体22的至少一个表面上。

所述基体22为一曲面型或平面型的结构。该基体22由玻璃、石英、金刚石或塑料等硬性材料或柔性材料形成。所述基体22主要起支撑的作用。

所述透明导电层24包括至少一个碳纳米管层,该碳纳米管层包括无序或有序排列的多个碳纳米管。当碳纳米管层包括多个有序碳纳米管时,所述的多个碳纳米管沿同一方向择优取向排列或沿不同方向择优取向排列或各向同性。具体地,上述碳纳米管层为一个碳纳米管薄膜或多个平行且无间隙铺设的碳纳米管薄膜。

此外,上述的透明导电层24包括至少两个重叠设置的碳纳米管层。每个碳纳米管层中的碳纳米管沿固定方向择优取向排列,相邻的两个碳纳米管层中的沿同一方向排列或沿不同方向排列,具体地,相邻的两个碳纳米管层 中的碳纳米管层具有一交叉角度α,0≤α≤90度,具体可依据实际需求制备。可以理解,由于上述透明导电层24中的碳纳米管层可重叠设置,故,上述透明导电层24的厚度不限,可根据实际需要制成具有任意厚度的透明导电层24。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司,未经清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200710125102.6/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top