[发明专利]一种评价层状结构锂钴氧化物电化学性能的方法有效
| 申请号: | 200710123447.8 | 申请日: | 2007-06-22 |
| 公开(公告)号: | CN101329286A | 公开(公告)日: | 2008-12-24 |
| 发明(设计)人: | 李永胜 | 申请(专利权)人: | 比亚迪股份有限公司 |
| 主分类号: | G01N23/207 | 分类号: | G01N23/207;G01R31/36 |
| 代理公司: | 北京润平知识产权代理有限公司 | 代理人: | 王凤桐;程荣逵 |
| 地址: | 518119广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 评价 层状 结构 氧化物 电化学 性能 方法 | ||
1.一种评价层状结构锂钴氧化物电化学性能的方法,其特征在于,该方法包括:
(A)采用X射线粉末衍射法测定层状结构锂钴氧化物晶体参数值;
(B)设定层状结构锂钴氧化物晶体参数值范围;及
(C)判断层状结构锂钴氧化物晶体参数值是否均在设定的参数值范围内;当上述测定的层状结构锂钴氧化物晶体参数值均在相应的设定的参数值范围内时,判定该层状结构锂钴氧化物的电化学性能满足电池需要,其中,
所述层状结构锂钴氧化物晶体参数值包括至少三个层面间距值、至少一个衍射峰相对强度值、晶胞参数c/a以及衍射峰形状特征,所述衍射峰相对强度值为除最强衍射峰以外的任意衍射峰强度与最强衍射峰强度的比值;所述层状结构锂钴氧化物的电化学性能是指电化学比容量和循环寿命;
所述层面间距值为003衍射晶面的层面间距d003、006衍射晶面的层面间距d006和110衍射晶面的层面间距d110,设定的d003大于4.6831埃、且小于或等于4.7070埃,设定的d006大于2.3416埃、且小于或等于2.3534埃,以及设定的d110小于1.410埃、且大于或等于1.4060埃;
所述衍射峰相对强度值为104晶面衍射峰与003晶面衍射峰的强度比I104/I003,设定的I104/I003的范围为50-80%;
设定的晶胞参数值c/a大于4.9821、且小于或等于5.0216;
设定的衍射峰形状特征为无衍射杂峰,且006和012晶面衍射峰之间以及018和110晶面衍射峰之间的分裂良好。
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