[发明专利]发光二极管制造方法无效
| 申请号： | 200710123337.1 | 申请日： | 2007-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN101090146A | 公开（公告）日： | 2007-12-19 |
| 发明（设计）人： | 金英镐;金学锋 | 申请（专利权）人： | 廊坊清华科技园光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 065001河北省廊坊*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光二极管 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1、一种由衬底、生长在衬底上的半导体薄膜、位于上述薄膜上的反射膜电极组成的发光器件，其特征在于：部分涂镀的第一金属；并镀于上述第一金属层上面，而大与第一金属层面积的金属层。
2、根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于：上述第一金属层与半导体薄膜层接合，形成网状。
3、根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于：上述第一金属层是在半导体薄膜层上的透光性电极或氧化膜上形成的。
4、根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于：上述第一金属层呈现各种形态的几何图形，或者由分开的线段组合而成。
5、根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于：上述第一金属层至少包括铬、镍、钛中的一种以上金属，从而形成单一金属层、复合层或合金层。
6、根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于：上述第二金属层是包括银在内的一种金属或合金形成。
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