[发明专利]影像显示系统及其制造方法有效
| 申请号: | 200710123186.X | 申请日: | 2007-07-02 |
| 公开(公告)号: | CN101123267A | 公开(公告)日: | 2008-02-13 |
| 发明(设计)人: | 彭杜仁;张世昌;曾章和 | 申请(专利权)人: | 统宝光电股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L27/15;H05B33/22;H05B33/10 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 彭久云;许向华 |
| 地址: | 中国台湾新*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 影像 显示 系统 及其 制造 方法 | ||
技术领域
本发明有关于一种影像显示系统及其制造方法,且特别有关于一种包含电致发光元件的影像显示系统及其制造方法。
背景技术
在目前各种显示元件中,比如像是液晶显示元件和电致发光元件等,已逐渐被广泛应用在诸如移动电话和便携式电脑等电子元件的显示器上,且上述显示元件所增加的数量主要是用在全彩化显示器中。
而在显示器制造领域中,一个重要的评估因素是显示器的效能或发光元件所发出光线的均匀性。然而,发光元件通常无法产生均匀化的光线,因此,如何制造具有均匀光线性能的电致发光元件实为当今的课题。
发明内容
为解决上述问题,本发明提供一种影像显示系统,包含电致发光元件,电致发光元件包含:基底;多个发光单元,形成于基底上,各发光单元沿其发光路径发射不同发光强度的光线;及补偿层,沿着这些发光路径设置以调整各发光单元的发光强度,由此输出基本均匀的光线。
在本发明的另一实施例中亦提供一种影像显示系统的制造方法,该影像显示系统包含电致发光元件,该方法包含:提供基底;形成多个发光单元于基底上,其中各发光单元沿其发光路径发射不同发光强度的光线;及沿这些发光路径设置感光层;以这些发光单元发射的光线照射感光层,使照光后感光层在不同区域具有不同的光穿透率,并对应具有不同发光强度的光线,藉以输出基本均匀的光线。
附图说明
图1A至1B绘示制造电致发光元件实施例的横剖面图。
图2绘示底部发光型有机电致发光元件实施例的横剖面图。
图3和图4绘示上部发光型有机电致发光元件实施例的横剖面图。
图5绘示具有像素单元的电致发光元件实施例的方块图。
图6绘示影像显示系统实施例的示意图。
【主要元件符号说明】
电致发光元件100;基底10;发光单元EL1~EL3;光线L1~L3;发光路径P1~P3;发光层50;第一电极层40;第二电极层60;绝缘层70;光线输出L0;感光层30;照光后感光层30’;区域30a~30c;底部发光型有机电致发光显示元件120;透明基底12;盖层80;上部发光型有机电致发光显示元件130;基底13;照光后感光层34;上部发光型有机电致发光显示元件140;照光后感光层36;电致发光元件300;补偿单元370;像素单元310;存储器330;显示器控制单元350;行驱动器320;列驱动器340;显示面板400;电子装置600;输入单元500。
具体实施方式
本发明将通过下列优选实施例及附图作进一步地详细说明,然而这些具体实施例仅为举例说明,而非用以限定本发明的范围。此外,为便于说明起见,相似或相同的元件以相同的标号标示。值得注意的是,图中所绘示或描述的元件,可以具有本领域的普通技术人员所知的形式。
以下说明影像显示系统及其制造方法的各种实施例。其中,图1B显示包含电致发光元件100的影像显示系统实施例的横剖面图;而图1A及1B则显示影像显示系统实施例的制造方法。
请参考图1A,首先提供基底10,发光单元EL1~EL3则设置于基底10上以发出具有不同发光强度的光线L1~L3。一般来说,具有不同发光强度的光线L1~L3沿着发光路径P1~P3发射。每个发光单元EL1~EL3则包含发光层50,其夹于第一电极层40和第二电极层60之间,例如分别夹于阳极层和阴极层之间。另外,可选择在第二电极层60上形成绝缘层70,特别是绝缘层70可选择由有机树脂材料制造,且可用以覆盖阳极层40的边缘,由此防止阳极层40和后续形成的阴极层60短路。此外,绝缘层70的材料可以选自下列的群组:氮化硅、氮氧化硅、和氧化硅等材料。
其次,补偿层沿着发光路径P1~P3设置以调整各发光单元L1~L3的发光强度,由此输出基本均匀的光线L0。在本例中,补偿层可以设置在发光单元EL1~EL3之上或在基底10底下。
举例而言,如图1A所示,首先可提供具有原始光穿透率的感光层30,并使之沿发光路径L1~L3设置,例如可设置在发光单元EL1~EL3之上。其次,如图1B所示,感光层30随之被发光单元EL1~EL3所发出的光线照射,由此形成的照光后感光层30’即可作为补偿层,其中补偿层在不同区域30a~30c因分别吸收了具有不同发光强度的光线,因此改变了原始光穿透率,使各不同区域30a~30c分别具有不同的光穿透率。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





