[发明专利]改进的PVD靶

权利要求书

1.一种物理气相沉积靶组件，包括：

背板；

靶，其具有：

远离所述背板定向的第一表面，所述第一表面具有密封构件容纳区域；以及

朝所述背板定向的第二表面，以及在所述第二表面和所述背板之间设置的粘接层。

2.根据权利要求1所述的物理气相沉积靶组件，其特征在于，所述密封构件容纳区域适于容纳密封构件。

3.根据权利要求1所述的靶组件，其特征在于，所述靶进一步包括侧表面，其中所述侧表面暴露于空气中。

4.根据权利要求1所述的靶组件，其特征在于，所述靶组件进一步包括设置在所述靶的所述侧表面上的电功率连接。

5.根据权利要求1所述的靶组件，其特征在于，：

所述靶组件邻近衬底处理腔室的处理区域设置；

与所述处理区域流体连接的所述靶组件的所述表面主要包括所述靶的所述第一表面。

6.根据权利要求1所述的靶组件，其特征在于，所述靶的所述第一表面主要包括单个机械加工的表面。

7.根据权利要求1所述的靶组件，其特征在于，所述粘接层选自含铟粘接材料、橡胶以及含金属网的橡胶。

8.根据权利要求1所述的靶组件，其特征在于，所述靶的一侧的长度至少为约1米。

9.根据权利要求1所述的靶组件，其特征在于，所述靶的侧壁基本垂直于衬底支架表面定向。

10.根据权利要求1所述的靶组件，其特征在于，所述背板包含冷却管道。

11.根据权利要求2所述的靶组件，其特征在于，所述密封构件选自橡胶O型环、金属垫圈和聚合物垫圈。

12.根据权利要求2所述的靶组件，其特征在于，所述密封构件形成围绕所述靶的外围密封。

13.根据权利要求12所述的靶组件，其特征在于，所述外围密封为真空紧密密封。

14.一种物理气相沉积靶组件，其特征在于，所述靶组件包括：

具有在第一表面上的密封构件容纳区域和设置在第二表面上的粘接层的第一靶；

耦接至所述第二表面的第一背板；

具有在第三表面上的密封构件容纳区域和设置在第四表面上的粘接层的第二靶；

耦接至所述第四表面的第二背板；以及

具有靠近所述第一靶的所述密封构件容纳区域的密封构件容纳区域和所述第二靶的所述密封构件容纳区域的靶支撑构件。

15.根据权利要求14所述的设备，其特征在于，密封构件围绕所述第一靶形成第一外围密封并且第二密封构件围绕所述第二靶形成第二外围真空紧密密封。

16.根据权利要求15所述的设备，通过所述密封构件在所述靶支撑构件和所述第一靶之间形成所述第一外围密封的一部分，以及其中通过所述第二密封构件在所述靶支撑构件和所述第二靶之间形成所述第二外围密封的一部分。

17.根据权利要求14所述的设备，其特征在于，所述第一靶进一步包括：

侧表面，其中所述侧表面暴露于空气中；以及

设置在所述第二靶的所述侧表面上的电功率连接；

以及其中所述第二靶进一步包括：

侧表面，其中所述侧表面暴露于空气中；以及

设置在所述第二靶的所述侧表面上的电功率连接。

18.根据权利要求14所述的设备，其特征在于，所述第一靶的侧壁基本垂直于衬底支撑表面定向。

19.一种PVD靶组件，其特征在于，进一步包括：

背板；

具有第一表面和第二表面的靶，其中所述第一表面与处理区域流体接触以及所述第二表面朝所述背板定向；以及

设置在所述背板和所述靶的所述第二表面之间的粘接层。

20.根据权利要求19所述的设备，其特征在于，所述靶的第一表面主要包括单个机械加工的表面。

21.根据权利要求19所述的设备，其特征在于，进一步包括设置在所述第一表面上的密封构件。