[发明专利]模拟缓冲器及其补偿操作方法和具有模拟缓冲器的显示器

权利要求书

1.一种源极跟随器型模拟缓冲器，其包括：

存储电容器，其中，所述存储电容器的第一端子经由第一开关(S1)连接到操作电压源，所述存储电容器的第二端子经由第三开关(S3)连接到输入电压(Vin)源；

驱动晶体管，其中，所述驱动晶体管的栅极端子连接到所述存储电容器的所述第一端子，所述驱动晶体管的漏极端子连接到所述操作电压源，且所述驱动晶体管的源极端子经由第二开关(S2)连接到所述存储电容器的所述第二端子；以及

有效负载，其中，所述有效负载的第一端子连接到所述驱动晶体管的所述源极端子且经由第四开关(S4)连接到所述源极跟随器型模拟缓冲器的输出端子，且所述有效负载的第二端子连接到接地，所述有效负载由偏压控制，其中所述输入电压源经由第五开关(S5)连接到所述源极跟随器型模拟缓冲器的所述输出端子。

2.如权利要求1所述的源极跟随器型模拟缓冲器，其中，所述驱动晶体管是低温多晶硅薄膜晶体管。

3.如权利要求1所述的源极跟随器型模拟缓冲器，其中，所述有效负载是低温多晶硅薄膜晶体管。

4.一种模拟缓冲器的补偿操作方法，所述模拟缓冲器包括驱动晶体管和负载电容器，其中，存储电容器和第一开关安置在所述驱动晶体管的栅极端子与源极端子之间，且所述驱动晶体管的漏极端子连接到操作电压源，所述负载电容器安置在所述开关和所述源极端子的接点与接地之间，其中，输入电压源经由第二开关连接到所述源极跟随器型模拟缓冲器的输出端子，其中所述补偿操作方法包括：

在补偿周期期间，所述第一开关被接通且所述存储电容器耦合到所述操作电压源，因而电压降被存储在所述存储电容器中；以及

在数据输入周期期间，在所述数据输入周期的第一周期，输入电压被施加到所述存储电容器与所述第一开关之间的接点处，因而所述驱动晶体管的所述栅极端子被施加所述输入电压和保持在所述存储电容器中的电压差，且所述模拟缓冲器的输出电压由存储在所述存储电容器中的电压来补偿，且在所述数据输入周期的第二周期，所述第二开关被接通且所述输入电压源连接到所述源极跟随器型模拟缓冲器的所述输出端子。

5.如权利要求4所述的补偿操作方法，其中，在停止所述存储电容器耦合到所述操作电压源之后的预定时间间隔，所述第一开关被断开。

6.如权利要求5所述的补偿操作方法，其中，所述有效负载是低温多晶硅薄膜晶体管，且由偏压控制。

7.一种显示器，其具有多个源极跟随器型模拟缓冲器以用于驱动所述显示器中多个数据总线的负载电容，所述源极跟随器型模拟缓冲器的每一者包括：

存储电容器，其中所述存储电容器的第一端子经由第一开关(S1)连接到操作电压源，所述存储电容器的第二端子经由第三开关(S3)连接到输入电压源；

驱动晶体管，其中所述驱动晶体管的栅极端子连接到所述存储电容器的所述第一端子，所述驱动晶体管的漏极端子连接到所述操作电压源，且所述驱动晶体管的源极端子经由第二开关(S2)连接到所述存储电容器的所述第二端子；以及

有效负载，其中所述有效负载的第一端子连接到所述驱动晶体管的所述源极端子且经由第四开关(S4)连接到所述源极跟随器型模拟缓冲器的输出端子，且所述有效负载的第二端子连接到接地，所述有效负载由偏压控制，其中所述输入电压源经由第五开关(S5)连接到所述源极跟随器型模拟缓冲器的所述输出端子。

8.如权利要求7所述的显示器，其中，所述驱动晶体管是低温多晶硅薄膜晶体管。

9.如权利要求7所述的显示器，其中，所述有效负载是低温多晶硅薄膜晶体管。