[发明专利]减少像素电极残留电荷的方法无效

专利信息
申请号: 200710122511.0 申请日: 2007-09-26
公开(公告)号: CN101399014A 公开(公告)日: 2009-04-01
发明(设计)人: 金炯旲 申请(专利权)人: 北京京东方光电科技有限公司
主分类号: G09G3/36 分类号: G09G3/36;G09G3/20;G02F1/133
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 代理人: 刘 芳
地址: 100176北京*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 减少 像素 电极 残留 电荷 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种控制薄膜晶体管液晶显示装置的方法,特别是一种减少像素电极残留电荷的方法。

背景技术

薄膜晶体管液晶显示装置(Thin Film Transistor Liquid CrystalDisplay,简称TFT-LCD)具有体积小、功耗低、无辐射等特点,在当前的平板显示器市场占据了主导地位。

图7为现有技术供电电压、控制信号和背光源的时序图,示意了在TFT-LCD中供电电压VCC、控制信号S和背光源BL之间的时序关系。在TFT-LCD启动时,供电电压VCC的开启早于控制信号S的开启,控制信号S的开启早于背光源BL的开启;在TFT-LCD关闭时,供电电压VCC的关断晚于控制信号S的关断,控制信号S的关断晚于背光源BL的关断,时间段A为供电电压开启后开启控制信号之间的时间,也是控制信号关断后关断供电电压之间的时间,一般时间段A为0~50ms左右,现有TFT-LCD中的A/D驱动板均根据图7所示的时序对电源和控制信号进行设计。图8为现有技术LVDS数据和LVDS信号的时序图,在TFT-LCD关闭时,为了减少像素电极的残留电荷,A/D驱动板控制LVDS(Low Voltage Differential Signaling)数据LVDS_D较LVDS信号LVDS_S提前时间段B关断,一般时间段B设置为2~3帧左右。图9为现有技术驱动集成电路的时序图,在LVDS信号LVDS_S关断后,由于时间段A内仍然有供电电压存在,驱动集成电路D-IC在时间段C内的输出状态是不确定的,TFT-LCD关闭后,像素电极内依然有可能残留电荷。因此当反复且快速开、关TFT-LCD时,像素电极内的残留电荷会使画面出现闪烁现象。

发明内容

本发明的目的是提供一种减少像素电极残留电荷的方法,在TFT-LCD关闭时能有效清除像素电极的残留电荷,克服画面闪烁现象。

为了实现上述目的,本发明提供了一种减少像素电极残留电荷的方法,包括:时序控制器监测到控制信号关断时生成标志信号;驱动集成电路根据所述标志信号进行公共电压输出。

其中,所述时序控制器监测到控制信号关断时生成标志信号具体为:时序控制器监测控制信号,判断控制信号是否出现下降沿,是则生成标志信号,否则继续监测控制信号。

其中,所述驱动集成电路根据所述标志信号进行公共电压输出具体为:驱动集成电路判断是否出现标志信号,当出现标志信号时,驱动集成电路输出公共电压,当未发现标志信号时,驱动集成电路正常输出。

为了实现上述目的,本发明提供了另一种减少像素电极残留电荷的方法,包括:时序控制器监测到供电电压信号开启时生成标志信号;驱动集成电路根据所述标志信号进行公共电压输出。

其中,所述时序控制器监测到供电电压信号开启时生成标志信号具体为:时序控制器监测供电电压信号;判断供电电压信号是否出现上升沿,是则生成标志信号,否则继续监测供电电压信号。

其中,所述驱动集成电路根据所述标志信号进行公共电压输出具体为:驱动集成电路判断是否出现标志信号,当出现标志信号时,驱动集成电路输出公共电压,当未发现标志信号时,驱动集成电路无输出。

在上述技术方案基础上,在驱动集成电路根据所述标志信号进行公共电压输出后还包括步骤::所述时序控制器监测控制信号,当监测到控制信号开启时,时序控制器生成新标志信号;驱动集成电路根据所述新标志信号进行正常输出。

本发明针对供电电压开启后和控制信号关断后驱动集成电路输出状态不确定使像素电极内依然有可能残留电荷的情况,提出了一种在供电电压开启时或在控制信号关断时驱动集成电路输出公共电压的减少像素电极残留电荷的方法,驱动集成电路根据时序控制器生成的标志信号进行公共电压输出,而时序控制器监测供电电压信号或控制信号,当监测到供电电压信号的上升沿或控制信号的下降沿时,时序控制器生成标志信号,使驱动集成电路输出公共电压。由于驱动集成电路输出公共电压,面板的液晶成最小偏转,因此可以最小化残留电荷,克服画面闪烁现象。

下面通过附图和实施例,对本发明的技术方案做进一步的详细描述。

附图说明

图1为本发明减少像素电极残留电荷的方法第一实施例的流程图;

图2为本发明第一实施例的实施流程图;

图3为本发明第一实施例的时序图;

图4为本发明减少像素电极残留电荷的方法第二实施例的流程图;

图5为本发明第二实施例的实施流程图;

图6为本发明第二实施例的时序图;

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