[发明专利]基于增强型PHEMT的单刀双掷开关

权利要求书

1、一种基于增强型赝配高电子迁移率场效应晶体管的单刀双掷微波开关，其特征在于，该微波开关包括六个增强型赝配高电子迁移率场效应晶体管E PHEMT、六个限流电阻R、三个隔直电容C、五段微带线L和两个电压控制端，其中，

所述第一电压控制端V1的正极通过第一限流电阻R1与第一增强型赝配高电子迁移率场效应晶体管E PHEMT1的栅极连接，通过第五限流电阻R5与第五增强型赝配高电子迁移率场效应晶体管E PHEMT5的栅极连接，通过第六限流电阻R6与第六增强型赝配高电子迁移率场效应晶体管E PHEMT6的栅极连接；

所述第二电压控制端V2的正极通过第二限流电阻R2与第二增强型赝配高电子迁移率场效应晶体管E PHEMT2的栅极连接，通过第三限流电阻R3与第三增强型赝配高电子迁移率场效应晶体管E PHEMT3的栅极连接，通过第四限流电阻R4与第四增强型赝配高电子迁移率场效应晶体管E PHEMT4的栅极连接；

所述E PHEMT1、E PHEMT2的漏极通过第一微带线L1与第一隔直电容C1的一端连接，第一隔直电容C1的另一端接输入端RF IN；

所述E PHEMT1的源极与E PHEMT4的漏极直接连接，并通过第二微带线L2与E PHEMT3的漏极连接，同时还依次通过第二微带线L2、第三微带线L3与第二隔直电容C2的一端连接，第二隔直电容C2的另一端接第一输出端RF OUT1；

所述E PHEMT2的源极与E PHEMT5的漏极直接连接，并通过第四微带线L4与E PHEMT6的漏极连接，同时还依次通过第四微带线L4、第五微带线L5与第三隔直电容C3的一端连接，第三隔直电容C3的另一端接第二输出端RF OUT2。

2、根据权利要求1所述的基于增强型赝配高电子迁移率场效应晶体管的单刀双掷微波开关，其特征在于，所述E PHEMT3的漏极通过第三微带线L3与第二隔直电容C2连接，所述E PHEMT3的源极接地。

3、根据权利要求1所述的基于增强型赝配高电子迁移率场效应晶体管的单刀双掷微波开关，其特征在于，所述E PHEMT4的漏极依次通过第二微带线L2、第三微带线L3与第二隔直电容C2连接，所述E PHEMT4的源极接地。

4、根据权利要求1所述的基于增强型赝配高电子迁移率场效应晶体管的单刀双掷微波开关，其特征在于，所述E PHEMT6的漏极通过第五微带线L5与第三隔直电容C3连接，所述E PHEMT6的源极接地。

5、根据权利要求1所述的基于增强型赝配高电子迁移率场效应晶体管的单刀双掷微波开关，其特征在于，所述E PHEMT5的漏极依次通过第四微带线L4、第五微带线L5与第三隔直电容C3连接，所述E PHEMT5的源极接地。

6、根据权利要求1所述的基于增强型赝配高电子迁移率场效应晶体管的单刀双掷微波开关，其特征在于，所述第一电压控制端V1的负极和第二电压控制端V2的负极均接地。

7、根据权利要求1所述的基于增强型赝配高电子迁移率场效应晶体管的单刀双掷微波开关，其特征在于，

当E PHEMTT的栅极电压为1V时，该E PHEMT处于导通状态；

当E PHEMT的栅极电压为0～0.2V的阈值电压时，该E PHEMT处于关闭状态。

8、根据权利要求1所述的基于增强型赝配高电子迁移率场效应晶体管的单刀双掷微波开关，其特征在于，当串联E PHEMT1处于导通状态，串联E PHEMT2处于关闭状态，并联E PHEMT3和并联E PHEMT4处于关闭状态，并联E PHEMT5和并联E PHEMT6处于导通状态时，该微波开关的第一输出端RF OUT1支路处于导通状态，插入损耗低，无限射频RF信号从输入端RF IN传输到第一输出端RF OUT1；该微波开关的第二输出端RF OUT2支路处于关断状态，隔离度高，RF信号不能从输入端RF IN传输到第二输出端RF OUT2。

9、根据权利要求1所述的基于增强型赝配高电子迁移率场效应晶体管的单刀双掷微波开关，其特征在于，当串联E PHEMT1处于关断状态，串联E PHEMT2处于导通状态，并联E PHEMT3和并联E PHEMT4处于导通状态，并联E PHEMT5和并联E PHEMT6处于关闭状态时，该微波开关的第一输出端RF OUT1支路处于关断状态，隔离度高，RF信号不能从输入端RF IN传输到第一输出端RF OUT1；该微波开关的第二输出端RF OUT2支路处于导通状态，插入损耗低，RF信号从输入端RF IN传输到第二输出端RF OUT2。