[发明专利]一种制备GaMnN稀磁半导体纳米线的方法

权利要求书

1.一种制备GaMnN稀磁半导体纳米线的方法，包括如下步骤：

1)Mn掺杂：在Ga₂O₃纳米线上原位掺杂Mn；

2)氨化：将掺有Mn的Ga₂O₃纳米线在氨气气氛下进行氨化，得到GaMnN稀磁半导体纳米线。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤1)所述在Ga₂O₃纳米线上原位掺杂Mn的条件为：

将MnCl₂·4H₂O粉末、镓源衬底和收集衬底依次放入一端开口的石英舟中，然后再把石英舟放入管式炉，并使开口端迎着气流方向；封闭系统、抽真空，再通入氩气进行清洗，控制炉内压强为0.6～0.9标准大气压，通入氩气作为载气；并设定升温速度为15～20℃/分钟，使管式炉温度升到900℃，保持温度，在收集衬底上得到掺杂有Mn的Ga₂O₃纳米线。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于：所述进行氨化的条件为：

将炉温升高至1050℃，关闭氩气，通入氨气并保温40分钟，控制压强为0.9大气压，对掺有Mn的Ga₂O₃纳米线进行氨化处理，得到GaMnN稀磁半导体纳米线。