[发明专利]一种氮化镓基发光二极管P型层透明导电膜及其制作方法

权利要求书

1.一种氮化镓基发光二极管P型层透明导电膜，其特征在于，所述透明导电膜是由镍/氧化铟锡、铝/氧化铟锡或氧化镍/氧化铟锡金属组合中的一种金属组合制成的，在氮化镓P型层上蒸镀的透明导电膜的第一层为镍、铝或氧化镍中的一种，第二层为氧化铟锡，所述镍的厚度大于等于5埃且小于等于30埃，所述铝的厚度大于等于5埃且小于等于30埃，所述氧化镍的厚度大于等于5埃且小于等于40埃，所述氧化铟锡的厚度大于等于1000埃且小于等于3000埃。

2.根据权利要求1所述的氮化镓基发光二极管P型层透明导电膜，其特征在于，所述镍的厚度大于等于10埃且小于等于15埃，所述铝的厚度大于等于10埃且小于等于15埃，所述氧化镍的厚度大于等于10埃且小于等于20埃，所述氧化铟锡的厚度大于等于2400埃且小于等于2700埃。

3.一种制造权利要求1或2所述的氮化镓基发光二极管P型层透明导电膜的方法，其特征在于，包括下述步骤：

(1)在蓝宝石衬底上依次外延生长得到N型氮化镓层，有源发光层，P型氮化镓层，

(2)蚀刻出一适当深度的台阶露出N型氮化镓层，

(3)在真空度小于1×10^-6托的条件下，在P型氮化镓层上蒸镀镍或铝，

(4)在氧气与氮气的流量比为1∶4，温度大于等于400℃且小于等于550℃的条件下，对蒸镀有镍或铝的晶片进行热处理，热处理的时间大于等于10min且小于等于25min，

(5)在真空度小于1×10^-6托的条件下，在镍、铝的表面蒸镀氧化铟锡，

(6)在氮气的流量大于等于5sccm且小于等于30sccm，温度大于等于500℃且小于等于700℃的条件下，对蒸镀有镍/氧化铟锡、铝/氧化铟锡的晶片进行热处理，热处理的时间大于等于10min且小于等于25min。

4.根据权利要求3所述的氮化镓基发光二极管P型层透明导电膜的制作方法，其特征在于，所述步骤(4)中所述温度大于等于450℃且小于等于500℃。

5.根据权利要求3所述的氮化镓基发光二极管P型层透明导电膜的制作方法，其特征在于，所述步骤(6)中所述氮气的流量大于等于10sccm且小于等于20sccm。

6.根据权利要求3所述的氮化镓基发光二极管P型层透明导电膜的制作方法，其特征在于，所述步骤(6)中所述温度大于等于550℃且小于等于600℃。

7.一种制作权利要求1或2所述的氮化镓基发光二极管P型层透明导电膜的方法，其特征在于，包括下述步骤：

(1)在蓝宝石衬底上依次外延生长得到N型氮化镓层，有源发光层，P型氮化镓层，

(2)蚀刻出一适当深度的台阶露出N型氮化镓层，

(3)在真空度小于1×10^-6托的条件下，在P型氮化镓层上蒸镀氧化镍，

(4)在真空度小于1×10^-6托的条件下，在氧化镍的表面蒸镀氧化铟锡，

(5)在氮气的流量大于等于5sccm且小于等于30sccm，温度大于等于500℃且小于等于700℃的条件下，对蒸镀有氧化镍/氧化铟锡的晶片进行热处理，热处理的时间大于等于10min且小于等于25min。

8.根据权利要求7所述的氮化镓基发光二极管P型层透明导电膜的制作方法，其特征在于，所述步骤(5)中所述氮气的流量大于等于10sccm且小于等于20sccm。

9.根据权利要求7所述的氮化镓基发光二极管P型层透明导电膜的制作方法，其特征在于，所述步骤(5)中所述温度大于等于550℃且小于等于600℃。