[发明专利]一种微电子机械系统圆片级真空封装及倒装焊方法无效

专利信息
申请号: 200710121384.2 申请日: 2007-09-05
公开(公告)号: CN101108722A 公开(公告)日: 2008-01-23
发明(设计)人: 丁海涛;杨振川;郭中洋;迟晓珠;赵前程;郝一龙;闫桂珍 申请(专利权)人: 北京大学
主分类号: B81C3/00 分类号: B81C3/00;B81C5/00
代理公司: 北京纪凯知识产权代理有限公司 代理人: 徐宁;关畅
地址: 100871北京市海*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 微电子 机械 系统 圆片级 真空 封装 倒装 方法
【权利要求书】:

1.一种微电子机械系统的圆片级真空封装及倒装焊的方法,其特征在于:它包括如下步骤:

(1)在用于制作盖帽玻璃片的玻璃片上加工作为引线孔的盲孔;

(2)对经步骤(1)的所述玻璃片进行清洗,在所述玻璃片上未打所述引线孔的一面溅射金和钨或金和铬,其中钨或铬作为金与所述玻璃片的黏附层,金为掩膜,光刻形成掩膜图形;

(3)分别用金腐蚀液和钨或铬腐蚀液腐蚀掉将要形成的玻璃腔体所在部位的所述掩膜和所述黏附层,采用干法刻蚀或湿法腐蚀制作所述玻璃腔体,并且将作为引线孔的盲孔腐蚀穿通,形成通孔;

(4)腐蚀掉经步骤(3)的所述玻璃片上剩余的所述掩膜和所述黏附层,所述盖帽玻璃片制作完成;

(5)在所述盖帽玻璃片的所述腔体内溅射或涂覆吸气剂;

(6)采用键合机将现成的MEMS器件结构圆片与经溅射或涂覆吸气剂的所述盖帽玻璃片进行对位静电键合,与此同时所述吸气剂被激活;

(7)在所述盖帽玻璃片的表面和所述引线孔内制作电极引线,并连通所有相同的电极引线;

(8)在所述电极引线上制作用于倒装焊的金属凸点;

(9)采用切片机对经步骤(8)的所述MEMS器件结构圆片和盖帽玻璃片的封装结构进行切片;并将切片后得到的单个MEMS芯片与外围处理电路进行倒装焊连接。

2.如权利要求1所述的一种微电子机械系统的圆片级真空封装及倒装焊方法,其特征在于:加工所述引线孔采用喷砂、激光或精密机械打孔的方法,所述喷砂打孔方法包括如下步骤:首先制作一个金属模具,用精密机械加工方法在所述金属模具上制作数量和位置都确定的通孔,然后将所述金属模具对准所述玻璃片进行喷砂打盲孔,所述盲孔呈圆锥形,锥度为60°~80°。

3.如权利要求1所述的一种微电子机械系统的圆片级真空封装及倒装焊方法,其特征在于:所述玻璃片上的盲孔底部与所述玻璃片底面间的厚度值不大于所述玻璃腔体的高度值。

4.如权利要求2所述的一种微电子机械系统的圆片级真空封装及倒装焊方法,其特征在于:所述玻璃片上的盲孔底部与所述玻璃片底面间的厚度值不大于所述玻璃腔体的高度值。

5.如权利要求1或2或3或4所述的一种微电子机械系统的圆片级真空封装及倒装焊方法,其特征在于:所述湿法腐蚀为:利用氢氟酸对所述玻璃腔体进行腐蚀,在腐蚀所述玻璃腔体的同时,将采用所述喷砂打孔方法所打的所述盲孔腐蚀通,形成通孔。

6.如权利要求1或2或3或4所述的一种微电子机械系统的圆片级真空封装及倒装焊方法,其特征在于:所述MEMS器件结构圆片与所述盖帽玻璃片的静电键合压力100~5000Pa、温度350~450℃,持续时间为30~50分钟。

7.如权利要求5所述的一种微电子机械系统的圆片级真空封装及倒装焊方法,其特征在于:所述MEMS器件结构圆片与所述盖帽玻璃片的静电键合压力100~5000Pa、温度350~450℃,持续时间为30~50分钟。

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