[发明专利]晶片传输系统

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体加工设备，尤其涉及一种晶片传输系统。

背景技术

在半导体生产加工制造流程中，晶片传输系统与多个晶片处理室相连。晶片从片仓通过晶片传输系统由晶片搬运机械手将需要加工处理的晶片搬运到处理室中进行加工处理；且晶片在加工完成后，依旧通过晶片传输系统由机械手将加工完毕的晶片搬运回片仓。

随着晶片加工工艺尺寸和线宽的减小，机械手将晶片放置在处理室中的位置精度也随之要求越来越高，以保证晶片加工的精确性、重复性和成品率。同时，随着晶片尺寸的加大，对于晶片的对准精度也随之增大。

现有技术一如图1所示，晶片首先由大气机械手AR将晶片从片仓F1、F2、F3中取出，然后放到同属大气传输单元EFEM的大气晶片校准器A对晶片中心位置进行校准；校准完毕后，大气机械手AR将晶片放入真空过渡装载锁LA、LB中；之后，位于真空传输室TM中央的真空机械手VR对放置于真空过渡装载锁LA、LB中的晶片进行抓取，放入目标处理室PM1、PM2、PM3、PM4中进行加工。

上述现有技术一至少存在以下缺点：

由于晶片在传输过程中，由于真空过渡装载锁LA、LB存在一换手动作，所以，当真空机械手VR对晶片进行抓取后将会和原始期望位置出现一个偏差，从而导致真空机械手VR将晶片向目标处理室PM1中放置时出现偏差。如果晶片需要在多个目标处理室PM中依次完成多种工艺加工，真空机械手VR需将目标处理室PM1中加工完毕的晶片取出后再放入其他目标处理室PM中继续加工，那么这个过程也会对晶片的位置带来偏差。

现有技术二如图2所示。在真空传输室TM的一边设置一个真空晶片校准器A’。在真空机械手VR将晶片从真空过渡装载锁LA中取出后，先到真空晶片校准器A’中进行二次校准，以消除真空过渡装载锁LA位置换手带来的偏差，然后由真空机械手VR将晶片取出放置到目标处理室PM中去做工艺加工。如果晶片需要在多个目标处理室PM中依次完成多种工艺加工，那么每次更换腔室都需要去真空晶片校准器A’中对晶片的偏差重新做一次校准。

上述现有技术二至少存在以下缺点：

首先，真空晶片校准器A’占据了一个目标处理室PM的位置，导致整个机台的加工能力降低；其次，每次工艺前都要去真空晶片校准器A’重新一次校准，影响了机台的产出率。

发明内容

本发明的目的是提供一种既不影响机台的加工能力和产出率，又能对晶片的位置偏差进行校准的晶片传输系统。

本发明的目的是通过以下技术方案实现的：

本发明的晶片传输系统，包括真空传输腔室，所述真空传输腔室连接有多个腔室，所述真空传输腔室设有真空机械手，所述真空机械手可以在所述多个腔室之间传输晶片，所述的真空传输腔室与每个腔室之间的晶片通道处分别设有用于感知晶片位置信息的传感器。

由上述本发明提供的技术方案可以看出，本发明所述的晶片传输系统，由于真空传输腔室与每个腔室之间的晶片通道处分别设有用于感知晶片位置信息的传感器，当真空机械手在多个腔室之间传输晶片时，传感器可以感知晶片的位置信息，传输系统可以根据该信息对晶片的位置偏差进行校准，又不会影响机台的加工能力和产出率。

附图说明

图1为现有技术一的晶片传输系统的结构示意图；

图2为现有技术一的晶片传输系统的结构示意图；

图3为本发明的晶片传输系统的具体实施例的结构示意图；

图4为本发明中传感器的安装位置示意图；

图5为本发明的晶片传输系统传输晶片的状态参考图；

图6为本发明的晶片传输系统的具体实施例一的原理框图；

图7为本发明的晶片传输系统的具体实施例二的原理框图。

具体实施方式

本发明的晶片传输系统，其较佳的具体实施方式如图3所示，包括真空传输腔室TM，所述真空传输腔室TM连接有多个腔室，包括目标处理室PM1、PM2、PM3、PM4，真空过渡装载锁LA、LB等，根据需要也可以连接其它的腔室。

真空传输腔室TM设有真空机械手VR，真空机械手VR可以在多个腔室之间传输晶片，真空传输腔室TM与每个腔室之间的晶片通道处分别设有用于感知晶片位置的传感器8，可以在每个晶片通道处设有1个或多个传感器8。当晶片通过晶片通道时，传感器可以感知晶片的位置信息，传输系统可以根据该信息对晶片的位置偏差进行校准。

所述的传感器8可以为光电传感器或光纤传感器，也可以是其它的传感器。