[发明专利]一种晶片夹持装置有效
| 申请号: | 200710121040.1 | 申请日: | 2007-08-29 |
| 公开(公告)号: | CN101378028A | 公开(公告)日: | 2009-03-04 |
| 发明(设计)人: | 彭宇霖 | 申请(专利权)人: | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;C23C14/50;C23C16/458;B23Q3/08 |
| 代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人: | 张天舒;陈源 |
| 地址: | 100016北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 晶片 夹持 装置 | ||
1.一种晶片夹持装置,用于在半导体加工/处理过程中借助于静电引力固定被加工器件,所述晶片夹持装置包括绝缘层和基座,所述被加工器件置于所述绝缘层之上,所述基座具有至少两级台阶,所述绝缘层置于所述基座的最上一级台阶上,其特征在于还包括增高模块,所述增高模块设置在所述最上一级台阶之下的至少一级台阶上,用以增加这一级台阶的高度,从而缩小所述绝缘层上表面所在平面与所述这一级台阶上表面所在平面之间的距离。
2.根据权利要求1所述的晶片夹持装置,其特征在于,所述增高模块与所述基座一体成型。
3.根据权利要求1所述的晶片夹持装置,其特征在于,所述增高模块与所述基座分别单独加工成型,并相互配合连接在一起。
4.根据权利要求3所述的晶片夹持装置,其特征在于,所述增高模块为环状结构,并且与所述基座牢固地套接在一起。
5.根据权利要求1所述的晶片夹持装置,其特征在于,所述增高模块的直径小于或等于所述基座的最下一级台阶的直径。
6.根据权利要求1所述的晶片夹持装置,其特征在于,所述增高模块的直径小于或等于其所在的那一级台阶的直径。
7.根据权利要求1所述的晶片夹持装置,其特征在于,所述增高模块的横断面为矩形或者为阶梯状的结构。
8.根据权利要求1所述的晶片夹持装置,其特征在于,所述增高模块与所述基座采用相同的材料制得。
9.根据权利要求8所述的晶片夹持装置,其特征在于,所述增高模块与所述基座采用金属铝并经过硫酸硬质阳极氧化加工得到。
10.根据权利要求1至9中任意一项所述的晶片夹持装置,其特征在于,所述基座配置有基环和聚焦环,所述基环的形状和尺寸与所述增高模块相适配,并且置于所述增高模块上,所述聚焦环置于所述基环上。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司,未经北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200710121040.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





