[发明专利]倒装双结铟镓氮太阳能电池结构

权利要求书

1.一种倒装双结铟镓氮太阳能电池结构，其特征在于，其中包括：

一衬底；

一氮化镓成核层，该氮化镓成核层制作在衬底的上面，该成核层可以增加衬底表面的成核密度；

一非有意掺杂氮化镓缓冲层，该非有意掺杂氮化镓缓冲层制作在氮化镓成核层的上面，该缓冲层可以减少外延层的缺陷密度，提高晶体质量；

一n型掺杂In_aGa_1-aN层，其中0.35≤a≤0.65，该n型掺杂In_aGa_1-aN层制作在非有意掺杂氮化镓缓冲层的上面，该n型掺杂层是底层In_aGa_1-aN电池的一部分；

一p型掺杂In_aGa_1-aN层，其中0.35≤a≤0.65，该p型掺杂In_aGa_1-aN层制作在n型掺杂In_aGa_1-aN层的上面，该p型掺杂层是底层In_aGa_1-aN电池的一部分；

一p型重掺杂In_bGa_1-bN层，其中0≤b≤1，该p型重掺杂In_bGa_1-bN层制作在p型掺杂In_aGa_1-aN层的上面，该p型重掺杂层是隧道结的一部分；

一n型重掺杂In_bGa_1-bN层，其中0≤b≤1，该n型重掺杂In_bGa_1-bN层制作在p型重掺杂In_bGa_1-bN层的上面，该n型重掺杂层是隧道结的一部分；

一n型掺杂In_cGa_1-cN层，其中0.60≤c≤0.90，该n型掺杂In_cGa_1-cN层制作在n型重掺杂In_bGa_1-bN层的上面，该n型掺杂层是顶层In_cGa_1-cN电池的一部分；

一p型掺杂In_cGa_1-cN层，其中0.60≤c≤0.90，该p型掺杂In_cGa_1-cN层制作在n型掺杂In_cGa_1-cN层的上面，该p型掺杂层是顶层In_cGa_1-cN电池的一部分。

2.根据权利要求1所述的倒装双结铟镓氮太阳能电池，其特征在于，其中所述的衬底是蓝宝石衬底。

3.根据权利要求1所述的倒装双结铟镓氮太阳能电池，其特征在于，其中所述的氮化镓成核层的厚度为0.01-0.05μm。

4.根据权利要求1所述的倒装双结铟镓氮太阳能电池，其特征在于，其中所述的非有意掺杂氮化镓缓冲层的厚度为0.50-3.00μm。

5.根据权利要求1所述的倒装双结铟镓氮太阳能电池，其特征在于，其中所述的n型掺杂In_aGa_1-aN层的厚度为0.05-0.50μm，电子浓度为0.1-5.0×10¹⁸/cm³。

6.根据权利要求1所述的倒装双结铟镓氮太阳能电池，其特征在于，其中所述的p型掺杂In_aGa_1-aN层的厚度为0.05-0.50μm，空穴浓度为0.1-5.0×10¹⁸/cm³。

7.根据权利要求1所述的倒装双结铟镓氮太阳能电池，其特征在于，其中所述的p型重掺杂In_bGa_1-bN层的厚度为0.005-0.015μm，空穴浓度为0.1-5.0×10¹⁹/cm³。