[发明专利]TFT结构和灰阶掩膜版结构有效
| 申请号： | 200710119928.1 | 申请日： | 2007-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN101359690A | 公开（公告）日： | 2009-02-04 |
| 发明（设计）人： | 吕敬 | 申请（专利权）人： | 北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;G03F1/14 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘芳 |
| 地址： | 100176北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | tft 结构 灰阶掩膜版 | ||
【权利要求书】：
1.一种灰阶掩膜版结构，包括掩膜版，所述掩膜版上设置有可掩膜出源极的源极区域和可掩膜出漏极的漏极区域，其特征在于，所述源极区域和漏极区域之间沟道区域的沟道长度为0.1μm～3.0μm，所述灰阶掩膜版结构通过单缝衍射实现TFT结构的制备，所述TFT结构包括源极和漏极，所述源极和漏极之间沟道的沟道长度为0.1μm～3.0μm。
2.根据权利要求1所述的灰阶掩膜版结构，其特征在于，所述源极区域为U形状，矩形状的漏极区域端部位于所述U形状内。
3.根据权利要求1所述的灰阶掩膜版结构，其特征在于，所述源极区域和漏极区域为相对设置的S形状，源极区域的锯齿位于漏极区域的锯齿之间。
4.根据权利要求1所述的灰阶掩膜版结构，其特征在于，所述源极区域和漏极区域为矩形状，平行设置在栅极线区域上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京京东方光电科技有限公司，未经北京京东方光电科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200710119928.1/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：具有顶端对准装置的燃料喷射器喷嘴
- 下一篇：音频处理系统
- 同类专利
- 专利分类
