[发明专利]一种欠饱和岩心岩电实验参数m、n的校正方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种低孔隙度低渗透率岩心在欠饱和状态下岩电实验参数m、n的校正方法。

背景技术

岩电实验首先要求用地层水完全饱和岩心，然而对于低孔隙度低渗透率岩心，由于受实验方法、实验设备以及实验周期的限制，岩心往往不能达到完全饱和，实验只能是在一定条件下的近似，因而会存在一定误差。

在这些误差当中，岩心欠饱和即是其中之一，它对地层因素F和电阻增大率I的实验测量结果有较明显的影响，进而影响到饱和度指数n值和胶结指数m值的求取，尤其是对于低孔隙度低渗透率地层的岩心，在不能达到完全饱和的情况下，按照《岩石电阻率参数实验室测量及计算方法(SY/T5385-1991)》标准流程进行实验及计算，会使饱和度指数n值降低，使胶结指数m值增大。

岩心欠饱和状态下求得的岩电实验参数n′值和m′值的绝对误差虽然较小，但相对误差却往往较大，应对欠饱和状态下求得的岩电实验参数n′和m′加以校正。

目前国内还没有检索到关于岩心欠饱和对岩电实验参数m′、n′影响方面的研究报道，没有检索到有关于欠饱和岩心岩电实验参数m′、n′的校正方法等方面的专利申请。

通过本发明提供的对欠饱和岩心岩电实验参数m′、n′的校正方法，解决了低孔隙度低渗透率岩心欠饱和状态下按照《岩石电阻率参数实验室测量及计算方法(SY/T 5385-1991)》标准流程进行实验及计算，致使饱和度指数n值降低、胶结指数m值增大的问题。

发明内容

本发明的目的是为了解决欠饱和状态下低孔隙度低渗透率岩心按照《岩石电阻率参数实验室测量及计算方法(SY/T 5385-1991)》标准流程进行实验及计算而使饱和度指数n值降低、胶结指数m值增大的问题，提供一种欠饱和岩心岩电实验参数m′、n′的校正方法。

本发明采用的技术方案是：

对欠饱和状态下的岩心，按照《岩石电阻率参数实验室测量及计算方法(SY/T 5385-1991)》标准流程进行实验及计算，每块岩心测量5～7个不同的含水饱和度(含水饱和度介于0～100％之间)及其对应的电阻率，求得每块岩心在欠饱和状态下的饱和度指数n′值及每块岩心含水饱和度为100％时的岩石电阻率R₀。

对欠饱和状态下的岩心，按照《岩石电阻率参数实验室测量及计算方法(SY/T 5385-1991)》标准流程进行实验及计算，测量每块岩心的地层因素F及其对应的孔隙度φ，求得欠饱和状态下的胶结指数m′值。

对每一块岩心，选取欠饱和状态下按照《岩石电阻率参数实验室测量及计算方法(SY/T 5385-1991)》标准流程实验测量的5～7个不同的含水饱和度中最大的含水饱和度S_w″及其对应的岩石电阻率R₀′。

 求取岩心欠含水饱和程度μ，μ=1-Sw′′,]]>S_w″为欠饱和状态下实验测量的最大含水饱和度，S_w″记为小数。

选取按照《岩石电阻率参数实验室测量及计算方法(SY/T 5385-1991)》

标准流程进行实验测量的岩心孔隙度φ，φ记为小数。

利用本发明实现对胶结指数m的校正，校正公式m=m′-lg(R0R0′)lg(φ),]]>求