[发明专利]采用全光学膜体系的垂直结构发光二极管制作方法

权利要求书

1.一种采用全光学膜体系的垂直结构发光二极管制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤1：利用金属化学有机气相沉积方法在衬底上依次外延生长氮化镓N型接触层、多量子阱有源区和氮化镓P型接触层；

步骤2：采用感应耦合等离子体、电子回旋共振、反应离子刻蚀干法刻蚀技术进行器件隔离；

步骤3：在氮化镓P型接触层上采用电子束蒸发技术制作ITO光学膜；

步骤4：采用离子束溅射技术在ITO光学膜上制作一层光学高反膜，高反膜采用网状结构，即ITO光学膜部分区域被光学高反膜覆盖，部分区域裸露，该结构通过光刻剥离技术得到；

步骤5：采用热蒸发、电子束蒸发技术在光学高反膜上和裸露的ITO膜区域制作一层金属膜，用作二次反射镜和键合层，该ITO光学膜、光学高反膜与金属膜构成器件的P电极；

步骤6：P电极制作完成后与硅、铜高热导率衬底键合；

步骤7：采用激光剥离、湿法腐蚀技术将绝缘的衬底去除，裸露出氮化镓N型接触层；

步骤8：采用电子束蒸发技术在氮化镓N型接触层表面制作ITO导电光学减反膜；

步骤9：采用湿法腐蚀技术对ITO导电光学减反膜进行表面粗化处理；

步骤10：在ITO导电光学减反膜上制作金属电极；

步骤11：采用等离子增强化学气相沉积技术在芯片表面沉积介质膜，以进行表面钝化保护；

步骤12：将金属电极区域的介质膜去除，进行压焊封装，完成器件的制作。

2.根据权利要求1所述的采用全光学膜体系的垂直结构发光二极管制作方法，其特征在于，其中光学高反膜采用剥离技术形成网状结构，使得金属膜与ITO光学膜接触，实现P电极引线。

3.根据权利要求1所述的采用全光学膜体系的垂直结构发光二极管制作方法，其特征在于，其中光学高反膜采用离子束溅射技术得到，为高、低折射率交替的多层介质膜。

4.根据权利要求1所述的采用全光学膜体系的垂直结构发光二极管制作方法，其特征在于，其中金属膜采用基于高反射率金属银或者铝的多层金属膜体系。