[发明专利]一种清洗单硅片的方法及装置无效

专利信息
申请号: 200710118905.9 申请日: 2007-06-14
公开(公告)号: CN101069888A 公开(公告)日: 2007-11-14
发明(设计)人: 韩雷刚;王锐廷;郭训容;刘效桢;王广明 申请(专利权)人: 北京七星华创电子股份有限公司
主分类号: B08B3/12 分类号: B08B3/12;B08B3/10
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 100016*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 清洗 硅片 方法 装置
【权利要求书】:

1、一种单硅片的清洗方法,其特征在于包括以下步骤:

(1)设置带超声或兆声发生器的清洗液喷射装置:根据需要配置功率大小适合的超声或兆声发生器,设置能产生适合的有效清洗液射流的喷嘴和配套管路,将超声或兆声发生器与喷嘴装配在一起,并且固定设置在一移动架上;所述喷嘴可以上下移动,喷嘴与单硅片的距离可调,并且喷头与单硅片的表面呈30-90度角。

(2)装配直线移动装置:给上述清洗液喷射装置配置上能做直线移动的直线移动装置,选用调速电机,配以精确转速控制器,该调速电机带动清洗液喷射装置沿单硅片的半径做径向直线移动;

(3)设置单硅片水平旋转装置:设置单硅片托架,配置水平旋转装置,选用调速电机,配以精确转速控制器,该调速电机带动单硅片在托架上做水平旋转;

(4)设置直线移动装置和水平旋转装置的速度:

设:直线运动装置带动喷嘴沿硅片半径径向运动的速度为Vr,单位是mm/s;

设:水平旋转装置带动单硅片做水平旋转运动的速度为Vω,单位是弧度/s;

设:喷嘴的射流的有效宽度为a,单位是mm;

设:清洗液射流到单硅片中心的距离为r,单位为mm;

根据清洗的单硅片的具体情况、清洗液的性能和清洗液射流压力、清洗质量和效率的要求设置清洗的速度,也就是在水平旋转装置带动硅片旋转的同时,直线移动装置沿单硅片径向走完半径距离的速度,设为S,单位是mm/s;

(5)建立方程式:

Vr=a ×Vω

S = V 2 r + r 2 × V 2 ω ]]>

方程式中S、a、r为已知数,有确定值;Vr、Vω为未知数,通过解上述方程组求得其值。

(6)根据第5步解出的数值分别在直线移动电机和旋转电机的控制器中设定转速值;

(7)将喷头置于单硅片的边沿或中心起始点,开通清洗液喷头和电源,完成清洗过程。

2、根据权利要求1所述的一种清洗单硅片方法的装置,其特征在于:主要包括清洗腔、直线移动部件、水平旋转部件和控制部件组成,所述清洗腔(1)为一个上开口的盆状体,中间设有所述水平旋转部件,该旋转部件设有一个硅片水平托架(2),该托架上设有固定硅片(5)的卡销(2.1),托架下面通过密封穿过清洗腔底部的连轴(2.2)与调速电机A(2.3)传动连接,该调速电机下面设有升降气缸A(2.4);在清洗腔的底部还有出液口(1.1);所述直线移动部件设有一个支撑架(3.3),在该支撑架上设有超声或兆声能量发生器(3)和与其装配在一起的清洗液喷嘴(3.1)和管路(3.2),该支撑架通过一根连杆(3.4)与调速电机B(3.5)传动连接,该部件下面设有升降气缸B(3.6);还设有一个控制器(4)与直线移动部件的调速电机A和水平旋转部件的调速电机B的调速器控制连接。

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