[发明专利]磷化硼硬质涂层的制备方法有效
| 申请号: | 200710118141.3 | 申请日: | 2007-06-29 |
| 公开(公告)号: | CN101104926A | 公开(公告)日: | 2008-01-16 |
| 发明(设计)人: | 苏小平;张树玉;杨海;黎建明;王宏斌;郝鹏;余怀之;刘伟 | 申请(专利权)人: | 北京有色金属研究总院;北京国晶辉红外光学科技有限公司 |
| 主分类号: | C23C16/513 | 分类号: | C23C16/513;C23C16/52;C23C16/44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 磷化 硬质 涂层 制备 方法 | ||
技术领域
本发明属于薄膜技术领域,涉及一种磷化硼硬质涂层的制备方法,特别是一种采用射频等离子体增强CVD技术,在工件表面制备磷化硼硬质涂层的方法。
背景技术
在某些应用领域,需要工件具有高硬度、耐磨损、耐腐蚀等特点,但一般情况下,受材料固有性质的限制,工件本身无法满足上述使用要求。针对上述情况,在工件表面涂覆硬质涂层是解决这一问题的办法之一,例如:在切削刀具或模具上涂覆单层或多层硬质涂层可改善其耐磨性能,显著提高耐用度效果;在光学元件如ZnS窗口表面涂覆DLC、Ge1-xCx等硬质膜层可提高其抗雨蚀、砂蚀及盐雾腐蚀的能力,从而保证其在恶劣工作环境下正常工作。
磷化硼具有高的硬度,Knoop硬度为4700kg/mm2,仅次于金刚石和立方氮化硼,同时具有良好的耐磨性、化学性能稳定、红外光学性能优良等特点,适合用作工具表面的耐磨涂层及红外光学元件的保护膜层,其制备方法主要有以下两类:
一类是高温CVD法,即在一个开管反应器中,将工件加热到900~1100℃,通入含硼气体(如B2H6、BCl3、BBr3)和含磷气体(如PH3、PCl3、PBr3)及氢气即可在基体表面反应沉积得到磷化硼涂层,该方法的优点是涂层机械性能好,缺点是制备温度高。
另一类方法与本发明类似,为射频等离子体增强CVD技术,美国专利文件(U.S.Patent 5,007,689 C.J.Kelly,K.L.Lewis)中C.J.Kelly等采用此工艺制备了磷化硼并用作红外光学窗口的保护膜,工件加热温度小于600℃,反应气体为磷烷、硼烷,射频功率10~1000W,该方法的优点是加热温度低,但却存在以下缺点:(1)磷化硼的性能受制备工艺,特别是射频功率的影响很大,射频功率小时磷化硼与基体的附着力差,易脱落,射频功率大时磷化硼内应力大,生长速率小;(2)制备的磷化硼为非化学计量比,且表面存在严重的失磷现象(K.L.Lewi s,C.J.Kelly,and B.C.Monachan,Recentprogress in the development of boron phosphide as a robustcoating material for infra-red transparencies,SPIE vol.1112,407 1989.),而磷化硼的性能受成分的影响很大,因此制备的磷化硼成分不均匀,性能不稳定,制备工艺可控性差。
发明内容
本发明的目的在于提供一种磷化硼硬质涂层的制备方法,采用该方法制备磷化硼,沉积温度低,制备的涂层成分均匀,应力小,与工件的附着力良好。
本发明的目的是这样实现的:
以含硼气体和含磷气体为反应气体,惰性气体为携载气体,采用射频等离子体增强CVD技术在工件表面制备磷化硼硬质涂层,实现本方法的具体步骤如下:
(1)将工件放置到PECVD设备射频阴极极板上,首先将真空室真空抽至高于3×10-3Pa,然后将工件加热到200~700℃;
(2)向真空室充入Ar气,保持真空在1~3Pa,加射频功率1000~1500W,对工件表面轰击清洗5~10分钟;
(3)按比例通入惰性气体、含硼气体和含磷气体的混合气体,其中惰性气体为携载气体,含硼气体和含磷气体为反应气体,保持真空在1~600Pa,调节射频功率在2500W以上,沉积1~5分钟,在高的射频功率下,工件表面受到高能量的入射离子轰击,界面处被溅射出的原子将会和沉积原子发生动态的混合现象,可以使涂层和工件之间的附着力有显著的提高;然后降低射频功率至50~1500W继续沉积直至达到所需的厚度,在低射频功率下,沉积的磷化硼内应力小,内部缺陷少,沉积速率高;
(4) 沉积结束后按比例向真空室充入H2和含磷气体组成的混合气体,保持真空在1~600Pa,将工件温度缓慢降至室温,降温速率30~100℃/小时,由于在含磷气氛中降温,避免了磷化硼中磷的挥发,保证了磷化硼表面和内部成分的均匀;降到室温后,向真空室充入氮气,打开真空室取出工件,制备过程结束。
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