[发明专利]一种阴极三元合金膜及制备覆膜浸渍扩散阴极的方法

权利要求书

1.一种阴极用三元合金膜，其特征在于，为钨铼锇三元合金膜，合金膜元素重量比为：钨(W)45～65wt％：铼(Re)25～45wt％：锇(Os)10～30wt％，合金膜的厚度为0.5～0.8微米。

2.如权利要求1所述的阴极用三元合金膜，其特征在于，用于微波电真空器件，或电视机的电子管或电子显微镜。

3.如权利要求1所述的阴极用三元合金膜，其特征在于，用于微波电真空器件，或电视机的电子管或电子显微镜中使用。

4.一种用如权利要求1所述的阴极用三元合金膜制备覆膜浸渍扩散阴极的方法，包括阴极表面覆膜、浸渍发射材料工序；其特征在于，有两种实施方式：

A：浸渍发射材料之前，采用铼靶在阴极表面溅射沉积0.3～0.4微米厚的铼膜，得到第一层膜；之后，采用锇钨55：45wt％靶沉积0.3～0.4微米的锇钨膜，得到第二层膜；接下来浸渍发射材料，利用发射材料的高温浸渍过程1600℃×30秒，使阴极表面两层薄膜间、薄膜与阴极基体间充分扩散，实现阴极表面膜层的合金化；

B：浸渍发射材料之后，利用成分比为钨45～65wt％：铼25～45wt％：锇10～30wt％的三元合金靶，在阴极表面溅射沉积0.5～0.8微米厚的钨铼饿三元合金膜。