[发明专利]一种制作金属纳米晶非挥发性存储器的方法无效
| 申请号： | 200710117613.3 | 申请日： | 2007-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN101330008A | 公开（公告）日： | 2008-12-24 |
| 发明（设计）人： | 管伟华;刘明;龙世兵;李志刚;胡媛 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/3105;H01L21/3115;H01L21/336;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100029*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 制作 金属 纳米 挥发性 存储器 方法 | ||
1、一种制作金属纳米晶非挥发性存储器的方法，其特征在于，该方法包括：
A、在半导体衬底上形成一层介电层；
B、利用低能离子注入的方法将金属离子注入到所述介电层中；
C、在惰性气体中对所述已经注入金属离子的介电层进行热退火处理，形成金属纳米晶，作为电荷存储的节点。
2、根据权利要求1所述的制作金属纳米晶非挥发性存储器的方法，其特征在于，步骤A中所述介电层由绝缘材料形成，所述绝缘材料为氧化硅、氧化铪、氧化锆、氧化铝、氧化铌或氧化钽。
3、根据权利要求1所述的制作金属纳米晶非挥发性存储器的方法，其特征在于，步骤A中所述介电层的厚度为10nm至60nm。
4、根据权利要求1所述的制作金属纳米晶非挥发性存储器的方法，其特征在于，步骤A中所述形成介电层的方法为干法热氧化、溅射、蒸发或化学气相淀积。
5、根据权利要求1所述的制作金属纳米晶非挥发性存储器的方法，其特征在于，步骤B中所述注入的金属离子为Ni、Fe、Co、Mn、Cr、W、Ge、Al、Cu、Au、Ag、Pt、Sn的离子。
6、根据权利要求1所述的制作金属纳米晶非挥发性存储器的方法，其特征在于，步骤B中所述低能离子注入的剂量在1014/cm2至1017/cm2的范围。
7、根据权利要求1所述的制作金属纳米晶非挥发性存储器的方法，其特征在于，步骤B中所述低能离子注入的能量在500eV至10KeV的范围。
8、根据权利要求1所述的制作金属纳米晶非挥发性存储器的方法，其特征在于，步骤C中所述惰性气体为N2、Ar或He。
9、根据权利要求1所述的制作金属纳米晶非挥发性存储器的方法，其特征在于，步骤C中所述热退火的温度为600℃至1600℃的范围，热退火的时间为5秒至900秒的范围。
10、根据权利要求1所述的制作金属纳米晶非挥发性存储器的方法，其特征在于，该方法进一步包括：在介电层上执行形成栅电极和源、漏的工艺，制造完整的存储器晶体管。
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