[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，具备：

具有结晶性的半导体层； 

设置在上述半导体层上的第1绝缘膜；

经设置在上述第1绝缘膜上的连通到上述半导体层的第1开口、形成在上述第1绝缘膜上的第1外延生长层；

设置在上述第1外延生长层上的第2绝缘膜；以及

经设置在上述第2绝缘膜上的连通到上述第1外延生长层的第2开口、形成在上述第2绝缘膜上的第2外延生长层。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：

在膜面方向上分离地设置了上述第1开口和上述第2开口，

在设上述第1外延生长层的膜厚为t_ep、上述第1外延生长层中的上述第1和第2开口间的膜面方向的距离为L、上述第1外延生长层的滑移面与上述第1外延生长层的膜面构成的角定为θ时，满足t_ep＜L×tanθ的关系。

3.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：

从膜厚方向看时，上述第2开口至少部分地与上述第1开口重叠，

在设上述第1外延生长层的膜厚为t_ep、上述第1绝缘膜的膜厚为t_in、上述第1外延生长层的滑移面与上述第1外延生长层的膜面构成的角为θ、上述第1开口的开口宽度为w₁时，满足(t_in+t_ep)≥w₁×tanθ的关系。

4.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：

上述半导体层是单晶层。

5.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：

上述第1和第2外延生长层的熔点比上述半导体层的熔点低。

6.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：

上述半导体层的主要成分是Si，上述第1和第2外延生长层的主要成分是Ge。

7.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：

还具备在上述第2外延生长层上形成的MOSFET。

8.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：

在MOSFET的漏区之下形成第1开口，在MOSFET的源区之下形成第2开口。

9.一种半导体器件，其特征在于，具备：

第1半导体层；

设置在上述第1半导体层上的第1绝缘膜；

设置在上述第1绝缘膜上的第1区域中的、具有与上述第1半导体层不等价的晶面方位的第2半导体层；

形成在上述第2半导体层上的第1导电型的MOSFET；

经设置在上述第1绝缘膜上的第2区域中的连通到上述第1半导体层的第1开口、形成在上述第2区域上的第1外延生长层；

设置在上述第1外延生长层上的第2绝缘膜；

经设置在上述第2绝缘膜上的连通到上述第1外延生长层的第2开口、形成在上述第2绝缘膜上的第2外延生长层；以及

形成在上述第2外延生长层上的第2导电型的MOSFET。

10.如权利要求9所述的半导体器件，其特征在于：

在膜面方向上分离地设置了上述第1开口和上述第2开口，

在设上述第1外延生长层的膜厚为t_ep、上述第1外延生长层中的上述第1和第2开口间的膜面方向的距离为L、上述第1外延生长层的滑移面与上述第1外延生长层的膜面构成的角为θ时，满足t_ep＜L×tanθ的关系。

11.如权利要求9所述的半导体器件，其特征在于：

从膜厚方向看时，上述第2开口至少部分地与上述第1开口重叠，

在设上述第1外延生长层的膜厚为t_ep、上述第1绝缘膜的膜厚为t_in、容易形成上述第1外延生长层的滑移面的面与上述第1外延生长层的膜面构成的角为θ、上述第1开口的开口宽度为w₁时，满足(t_in+t_ep)≥w₁×tanθ的关系。

12.如权利要求9所述的半导体器件，其特征在于：

上述半导体层是单晶层。