[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

硅衬底，其具有用于将所述硅衬底焊接到陶瓷衬底上的表面；和

电极，其与所述硅衬底的所述表面进行接触，

其中所述电极包括：

第一导体层，其与所述硅衬底的所述表面进行接触，并包括铝和硅；

第二导体层，其与所述第一导体层进行接触，并包括钛；和

第三导体层，其通过所述第二导体层而与所述第一导体层分离，并包括镍。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中，所述第一导体层的厚度大于或等于600nm。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：

所述第一导体层中的硅浓度沿所述第一导体层的厚度变化，使得硅浓度在从与所述硅衬底进行接触的表面到与所述第二导体层进行接触的表面之间的深度范围中的一部分处减小；并且

与所述硅衬底进行接触的所述表面和在所述第一导体层中硅浓度最小处的深度之间的距离大于或者等于50nm。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，

其中，所述第一导体层的厚度大于或等于600nm。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中，在将所述半导体器件焊接到所述陶瓷衬底期间的热暴露之前和之后，在所述第一导体层中的、在与所述硅衬底进行接触的表面和距离与所述硅衬底进行接触的所述表面25nm处的深度之间的硅浓度保持相同的值。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，

其中，所述第一导体层的厚度大于或等于600nm。

7.根据权利要求5所述的半导体器件，其中：

所述第一导体层中的硅浓度沿所述第一导体层的厚度变化，使得硅浓度在从与所述硅衬底进行接触的表面到与所述第二导体层进行接触的表面之间的深度范围中的一部分处减小；并且

与所述硅衬底进行接触的所述表面和在所述第一导体层中硅浓度最小处的深度之间的距离大于或者等于50nm。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中，所述硅衬底和所述第一导体层之间的边界没有氧化物。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中，所述硅衬底包括形成在所述硅衬底的所述表面中的集电极区域，所述集电极区域包含p型杂质。

10.一种模块，包括：

根据权利要求1所述的半导体器件；和

陶瓷衬底，

其中，所述半导体器件焊接到所述陶瓷衬底。

11.一种制造半导体器件的方法，所述半导体器件包括硅衬底、第一导体层、第二导体层和第三导体层，所述方法包括：

硅衬底刻蚀步骤，其中，利用溅射装置，通过逆溅射技术刻蚀所述硅衬底的表面；

第一导体层形成步骤，其中，利用溅射装置，通过溅射技术在所述硅衬底的所述表面上形成所述第一导体层，其中，所述硅衬底刻蚀步骤和所述第一导体层形成步骤在真空下顺序地进行；

第二导体层形成步骤，其中，通过溅射技术在所述第一导体层上形成所述第二导体层；以及

第三导体层形成步骤，其中，通过溅射技术在所述第二导体层上形成所述第三导体层，

其中所述第一导体层包括铝和硅，

所述第二导体层包括钛，并且

所述第三导体层包括镍。

12.一种制造根据权利要求10所述的模块的方法，所述方法包括：

通过将温度保持在低于或者等于400℃，将所述半导体器件焊接到所述陶瓷衬底。