[发明专利]微晶玻璃以及微晶玻璃的制造方法无效
| 申请号: | 200710110641.2 | 申请日: | 2007-06-06 |
| 公开(公告)号: | CN101085699A | 公开(公告)日: | 2007-12-12 |
| 发明(设计)人: | 八木俊刚;后藤直雪 | 申请(专利权)人: | 株式会社小原 |
| 主分类号: | C03C3/083 | 分类号: | C03C3/083;C03C3/095;C03C3/097;C03C10/00;C03C10/14 |
| 代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人: | 刘新宇;李茂家 |
| 地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 玻璃 以及 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及SiO2-Al2O3系或Li2O-Al2O3-SiO2系的微晶玻璃及其制造方法。涉及一种微晶玻璃及其制造方法,该微晶玻璃优选可用于作为被严格要求极低膨胀特性、表面的超平滑性、或高刚性等的各种精密部件的广泛用途中,适合作为新生代半导体制造装置的各种组成部件。
背景技术
SiO2-Al2O3系或Li2O-Al2O3-SiO2系的微晶玻璃可以具有例如低膨胀特性(例如,参照专利文献1、专利文献2。),另外,还具有例如高刚性、研磨后的表面的超平滑性等、此类微晶玻璃特有的有用的物性。
另一方面,SiO2-Al2O3系或Li2O-Al2O3-SiO2系的微晶玻璃,其制造过程中的前体玻璃的熔解温度通常很高,为1450℃~1600℃。这些微晶玻璃为了制造过程的熔解时的均质化和澄清化,会添加澄清剂,作为在前述那样的高的温度区域有效的澄清剂,一直使用砷成分、锑成分。但是,砷成分、锑成分可能会对人体和环境带来不好的影响,尽可能控制使用这些成分的要求正在提高。
但是,一直以来,还没发现一种SiO2-Al2O3系或Li2O-Al2O3-SiO2系的微晶玻璃的组成,其可维持低膨胀特性等这些微晶玻璃的有特征的各物性,并且包含代替砷成分、锑成分且具有与这些成分相同的高澄清效果的澄清剂。
专利文献3、专利文献4、专利文献5公开了一种Li2O-Al2O3-SiO2系的微晶玻璃,启示了除As2O3成分或Sb2O3成分以外的澄清剂。
专利文献3的实施例都含有与以往相同程度的量的As2O3成分或Sb2O3成分,没有证实减少这些澄清剂的含量或者不含这些澄清剂的情况下,能否得到在该文献中所主张的效果。
专利文献4的实施例都含有与以往相同程度的量的As2O3成分,没有证实减少这些澄清剂的含量或者不含这些澄清剂的情况下,能否得到在该文献中所主张的效果。
专利文献5的实施例不包含As2O3成分或Sb2O3成分,但可见光区的透过率差,膨胀系数也大。
专利文献6公开了一种为了得到澄清效果而在制造过程中添加了氦、氖的Li2O-Al2O3-SiO2系微晶玻璃的制造方法。作为氦、氖的添加方法,公开有在氦、氖气氛中熔融原料的方法和以高浓度含有氦、氖的物质、碎玻璃作为原料进行熔融的方法。但是,前者的方法,制造设备的成本变大,设备的维修成本也变大。另外,后者的方法,制造或由市场购买高浓度含有氦、氖的物质、碎玻璃是不现实的。
专利文献1:日本特开平8-133783号公报
专利文献2:日本特开2005-89272号公报
专利文献3:日本特开2002-326837号公报
专利文献4:日本特开2000-247681号公报
专利文献5:日本特开昭60-255634号公报
专利文献6:日本特开2005-53711号公报
发明内容
发明要解决的课题
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