[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号: | 200710110186.6 | 申请日: | 2007-06-18 |
| 公开(公告)号: | CN101090098A | 公开(公告)日: | 2007-12-19 |
| 发明(设计)人: | 草野英俊;大出知志 | 申请(专利权)人: | 索尼株式会社;索尼计算机娱乐公司 |
| 主分类号: | H01L23/373 | 分类号: | H01L23/373;H01L21/50 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 陶凤波 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体装置,其可搭载散热部件,其特征在于,包括:
基板;
半导体芯片,其在将表面倒装的状态下安装在所述基板上;
密封树脂层,其以与所述半导体芯片的侧面及所述基板相接的状态成型在所述半导体芯片的周围成型,并使得所述半导体芯片的背面成为凹部;
相变部,其具有高导热性,设置在所述半导体芯片的背面,能够与所述散热部件热连接,在所述半导体芯片的动作温度下而熔融。
2.如权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,所述相变部是从Ga、In及Sn构成的组中选择的一种以上的低熔点金属、或是含有所述一种以上的低熔点金属的合金。
3.一种半导体装置的制造方法,其特征在于,包括如下的工序:
将半导体芯片表面倒装并将该半导体芯片倒装片安装在设有配线图案的基板上;
在使所述半导体芯片的背面露出的状态下、与所述半导体芯片的侧面及所述基板相接地在所述半导体芯片的周围成型密封树脂层,并使得所述半导体芯片的背面成为凹部;
在所述半导体芯片的背面涂敷材料,该材料具有高导热性、在所述半导体芯片的动作温度下熔融;
将所述材料加热而使其熔融。
4.如权利要求3所述的半导体装置的制造方法,其特征在于,所述材料是从Ga、In及Sn构成的组中选择的一种以上的低熔点金属、或是含有所述一种以上的低熔点金属的合金。
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