[发明专利]光学头与光学蚀刻装置有效
申请号: | 200710110074.0 | 申请日: | 2007-06-14 |
公开(公告)号: | CN101324759A | 公开(公告)日: | 2008-12-17 |
发明(设计)人: | 李世光;林鼎晸;郑琮达;张晋恺;陈志豪;叶超雄;张佑嘉 | 申请(专利权)人: | 财团法人工业技术研究院 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20;G11B7/135 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 陶凤波 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光学 蚀刻 装置 | ||
1.一种光学头,用于将入射光转换成次波长尺寸光束,该光学头包括:
透光基层;
不透光薄膜,具有第一表面和与该第一表面相对的第二表面,其中该透光基层贴附于该第一表面上;以及
至少一次波长环孔,形成于该不透光薄膜中,由该第一表面延伸至该第二表面,能使由该透光基层往该不透光薄膜行进的该入射光在该不透光薄膜上产生表面等离子体波,其中该次波长环孔为圆环结构,该次波长环孔的宽度为0.05至0.95个该入射光的波长。
2.如权利要求1所述的光学头,还包括至少一环沟,形成于该不透光薄膜上的该次波长环孔内侧,使该表面等离子体波在该环沟再进行耦合成光。
3.如权利要求2所述的光学头,其中该次波长环孔与该环沟具有共同的中心。
4.如权利要求2所述的光学头,其中该环沟为圆环结构。
5.如权利要求2所述的光学头,其中该环沟的深度为0.05至0.5个该入射光的波长。
6.如权利要求1所述的光学头,其中该不透光薄膜的相对介电常数为-2至-32之间。
7.如权利要求1所述的光学头,其中该不透光薄膜的相对介电常数为+1.5至+16之间。
8.如权利要求1所述的光学头,其中该透光基层的相对介电常数为+1.5至+16之间。
9.如权利要求1所述的光学头,其中该不透光薄膜的厚度为0.25至2个该入射光的波长。
10.如权利要求1所述的光学头,还包括同步光源,用以产生该入射光。
11.一种光学蚀刻装置,至少包括:
光学头,用于将入射光转换成次波长尺寸光束,并且利用该次波长尺寸光束的能量,对目标物进行曝光显影,该光学头还包括:
透光基层;
不透光薄膜,具有第一表面和与该第一表面相对的第二表面,其中该透光基层贴附于该第一表面上;以及
至少一次波长环孔,形成于该不透光薄膜中,由该第一表面延伸至该第二表面,能使由该透光基层往该不透光薄膜行进的该入射光在该不透光薄膜上产生表面等离子体波,其中该次波长环孔为圆环结构,该次波长环孔的宽度为0.05至0.95个该入射光的波长。
12.如权利要求11所述的光学蚀刻装置,还包含移动平台,使该光学头与光刻胶层间的相对位置产生变化。
13.如权利要求11所述的光学蚀刻装置,还包括至少一环沟,形成于该不透光薄膜上的该次波长环孔内侧,使该表面等离子体波在该环沟再进行耦合成光。
14.如权利要求13所述的光学蚀刻装置,其中该次波长环孔与该环沟具有共同的中心。
15.如权利要求13所述的光学蚀刻装置,其中该环沟为圆环结构。
16.如权利要求13所述的光学蚀刻装置,其中该环沟的深度为0.05至0.5个该入射光的波长。
17.如权利要求11所述的光学蚀刻装置,其中该不透光薄膜的相对介电常数为-2至-32之间。
18.如权利要求11所述的光学蚀刻装置,其中该不透光薄膜的相对介电常数为+1.5至+16之间。
19.如权利要求11所述的光学蚀刻装置,其中该透光基层的相对介电常数为+1.5至+16之间。
20.如权利要求11所述的光学蚀刻装置,其中该不透光薄膜的厚度为0.25至2个该入射光的波长。
21.如权利要求11所述的光学蚀刻装置,还包括同步光源,用以产生该入射光。
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