[发明专利]切割晶圆的方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种切割晶圆的方法，特别是关于一种利用复合胶膜切割晶圆的方法，其复合胶膜可避免污染该晶圆的主动表面。

背景技术

在半导体封装制程中，通常是先将晶圆切割成一颗颗的晶粒(die)12，再将这些晶粒做成功能不同的半导体封装结构。图1至图6显示了现有的一种切割晶圆的方法。首先，提供一晶圆10，该晶圆10具有一主动表面16以及一背面14(图2)。然后，如图1所示，将一研磨胶带20黏贴在该晶圆10的主动表面16上。然后，如图2所示，通过机械研磨装置50研磨(grinding)该晶圆10的背面14。然后，如图3所示，将一切割胶带(Dicing Tape)40黏贴在研磨后的该晶圆10的背面14上，该切割胶带40包括一底膜42以及一晶粒黏膜(Die Attach Film；DAF)44。然后，如图4所示，将该研磨胶带20从该晶圆10的主动表面16上移除，并通过该切割胶带40将该晶圆10固定在晶圆架18上。然后，如图5所示，用一分割机的切割刀30沿切割道32切割晶圆10，以分离晶粒12。最后，如图6所示，以真空吸取器60移动(Pick Up)切割所得的晶粒12，以完成晶粒12的单一化，其中该晶粒黏膜44仍附着在该晶粒12上。另外，图7至8进一步显示了现有的半导体封装结构制造方法。如图7所示，利用该真空吸取器60，将附着有该晶粒黏膜44的该晶粒12移动到一基板70或导线架(图未示)上，并通过加热该晶粒黏膜44将该晶粒12固定在该基板70上。然后，如图8所示，移除该真空吸取器60，并通过一电浆清洗制程(Plasma Clean Process)清洗该晶圆10的主动表面16。最后，通过一焊线打线制程(Wire Bonding Process)以及一封胶体制程，完成一半导体封装结构。

然而，就现有切割晶圆的方法而言，在切割薄晶圆时，容易发生晶粒崩裂(Die Chipping)现象。此外，现有切割晶圆的方法，其切割碎屑会污染该晶粒的主动表面。因此，现有的半导体封装结构制造方法，必须再利用一电浆清洗制程，清洗该晶圆的主动表面，这样将增加制程时间以及成本。

因此，有必要提供一种改进的切割晶圆的方法，以克服现有技术存在的上述缺点。

发明内容

本发明的目的在于提供一种切割晶圆的方法，该方法利用了一复合胶膜，从而可在切割制程中避免切割碎屑污染该晶圆的主动表面。

本发明的另一目的在于提供一种切割晶圆的方法，该方法利用了一复合胶膜，该复合胶膜可支撑薄晶圆，从而在切割时不易发生晶粒崩裂的现象。

为实现上述目的，本发明提供了一种切割晶圆的方法，包括下列步骤：提供一晶圆，该晶圆具有一主动表面、一背面以及若干个纵向及横向的切割道，其中该等切割道位于该主动表面上，以界定出若干个晶粒；提供一复合胶膜，贴附该复合胶膜于该晶圆的主动表面，该复合胶膜包括一第一胶膜以及一第二胶膜，该第二胶膜位于该第一胶膜与该晶圆的主动表面之间，并且该第二胶膜为透明的；研磨该晶圆的背面；移除该第一胶膜；以及沿该等切割道切割附着有该第二胶膜的该晶圆，以分离该等晶粒。

与现有技术相比较，本发明切割晶圆的方法利用了一复合胶，该复合胶膜可在切割制程中发挥作用，避免切割碎屑污染该晶圆的主动表面，以及异物或刮伤等问题。此外，该复合胶膜可支撑薄晶圆，从而在切割时不易发生晶粒崩裂(Die Chipping)的现象。

以下结合附图与实施例对本发明作进一步的说明。

附图说明

图1至图6为现有切割晶圆方法的立体示意图。

图7至图8为现有半导体封装结构制造方法的立体示意图。

图9为本发明一实施例的切割晶圆的方法的流程图。

图10A为本发明图9所示实施例的切割晶圆的方法的立体示意图。

图10B为图10A中所示的晶圆以及复合胶带A部分的局部放大的剖面示意图。

图11至图15为本发明图9所示实施例的切割晶圆的方法的立体示意图。

图16为利用本发明切割晶圆的方法制造半导体封装结构的一实施例的方法流程图。

图17至图18为图16所示实施例的半导体封装结构制造方法的立体示意图。

图19为利用本发明切割晶圆的方法制造半导体封装结构的另一实施例的方法流程图。

具体实施方式

有关本发明的详细说明及技术内容，现就结合附图说明如下：