[发明专利]电解电容器的制造方法及电解电容器有效

专利信息
申请号: 200710109529.7 申请日: 2007-06-27
公开(公告)号: CN101106021A 公开(公告)日: 2008-01-16
发明(设计)人: 鹿熊健二;细木雅和 申请(专利权)人: 三洋电机株式会社;太阳电子工业株式会社
主分类号: H01G9/00 分类号: H01G9/00
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 李贵亮
地址: 日本国大阪府守*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 电解电容器 制造 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种电解电容器的制造方法以及利用该制造方法得到的电解电容器,更具体而言,本发明涉及一种卷绕型电解电容器的制造方法以及利用该制造方法得到的电解电容器。

背景技术

随着电子仪器的数字化,其中使用的电容器也逐渐变得要求为小型、大容量且在高频区域的等效串联电阻(Equivalent Series Resistance,以下简称为ESR)小的电容器。

以往,作为高频区域用的电容器,大多使用塑料薄膜电容器、叠层陶瓷电容器等,但它们的容量较小。

作为小型、大容量且低ESR的电容器,包括将二氧化锰、TCNQ配盐等电子导电性材料用作阴极材料的电解电容器。在此,TCNQ是指7,7,8,8-四氰基醌二甲烷。另外,将聚吡咯、聚噻吩、聚呋喃、聚苯胺等导电性聚合物用作电解电容器也是有前途的。例如,在特开平02-015611号公报中记载了含有特定的聚噻吩作为固体电解质的电解电容器。

以往,在制造将如上所述的导电性聚合物用作阴极材料的电解电容器的过程中,例如在铝、钽等阀作用金属构成的阳极烧结体或阳极箔的表面上,依次形成化学处理膜、导电性聚合物层、石墨层、银涂层,利用导电性粘接剂等将阴极导线向其连接,但这样的制造方法、即阴极引出法,使电解液向经由隔离件卷绕形成有化学处理膜的阳极箔和对置阴极箔而成的电容器元件中浸渗的所谓的卷绕型电解电容器的制造方法相比,非常繁杂。另外,该阴极引出法与使用对置阴极箔的卷绕型电解电容器的情况相比,存在ESR变大的趋势。

另一方面,在制造卷绕型电解电容器的过程中,所述导电性聚合物层例如可以使用电解聚合法、气相聚合法等形成。但是,利用电解聚合法或气相聚合法在卷绕型的电容器元件内形成导电性聚合物层的操作繁杂,不容易实现。也可以考虑在阳极箔上形成化学处理膜及导电性聚合物层之后,与对置阴极箔一起卷取的制造方法,但不损坏化学处理膜或导电性聚合物层地卷取并形成卷绕型电解电容器是很难的。

另外,也可以使聚合并成为导电性聚合物的单体及氧化剂向卷绕型电容器元件中浸渗,从而形成所述导电性聚合物层。例如,在特开平11-186110号公报中记载了通过在使成为导电性聚合物的单体向卷绕型的电容器元件浸渗之后,浸渍于过硫酸铵等氧化剂的水溶液中,使该单体发生化学氧化聚合,从而形成导电性聚合物的方法。另外,在特开2005-322917号公报中还记载了将用于制造导电性聚合物的含有前体及氧化剂的混合物,导入由电介质层覆盖的多孔电极体中,将利用含有该前体及氧化剂的混合物浸渗的多孔电极体暴露在某个相对湿度中,使该前体发生聚合,从而形成固体电解质的方法。但是,这些方法使氧化剂附着于阳极上的化学处理膜上,在该化学处理膜上进行氧化聚合,所以存在给化学处理膜带来损伤、化学处理膜的缺陷部较多的问题。另外,在化学氧化聚合之后,存在还需要利用清洗除去未反应的单体或氧化剂的附加工序,所以繁杂的问题。

进而,在特开平05-144677号公报中记载了作为形成所述导电性聚合物层的方法,使卷绕型的电容器元件浸渍于溶解有聚苯胺等可溶性导电性高分子的溶液,然后使其干燥,除去溶剂的方法。但是,该方法中,该可溶性导电性高分子溶解于溶剂,所以导电性高分子会进入到在阳极上的化学处理膜上存在的缺陷部内,电解电容器容易发生短路,因而耐电压性较低。

发明内容

本发明这是为了解决所述课题而提出的,其目的在于提供一种与以往相比可以容易地制造、耐电压性出色、漏电流小的电解电容器的制造方法以及利用该制造方法得到的电解电容器。

本发明的电解电容器的制造方法的特征在于,包括:使含有导电性固体的颗粒或粉末和溶剂的分散质,浸渗到经由隔离件卷绕形成有电介质被膜的阳极箔和对置阴极箔而成的电容器元件中的分散质浸渗工序;在该分散质浸渗工序之后,使溶剂蒸发,在电介质被膜的表面形成导电性固体层的干燥工序;使电解液浸渗到导电性固体层的间隙中的电解液浸渗工序。在此,在干燥工序中,在所述电介质被膜的表面形成导电性固体层,在所述隔离件及所述对置阴极箔的表面也形成导电性固体层。

优选构成所述导电性固体层的导电性固体含有导电性高分子,所述分散质中含有的溶剂含有水,所述电解液含有非水系溶剂和有机盐。

另外,在本发明的电解电容器的制造方法,优选所述导电性高分子含有选自聚吡咯、聚噻吩及它们的衍生物中的一种或两种以上,所述非水系溶剂含有γ-丁内酯及/或环丁砜,所述有机盐含有有机胺盐。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三洋电机株式会社;太阳电子工业株式会社,未经三洋电机株式会社;太阳电子工业株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200710109529.7/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top