[发明专利]用于相变存储器的含硅系列硫族化物相变薄膜材料无效
| 申请号： | 200710109363.9 | 申请日： | 2005-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN101101965A | 公开（公告）日： | 2008-01-09 |
| 发明（设计）人： | 冯洁;乔保卫;赖云峰;蔡炳初;陈邦明 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学;硅存储技术公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;G11C11/56;G11B7/243;C22C29/00;G03C1/705 |
| 代理公司： | 上海交达专利事务所 | 代理人： | 王锡麟;王桂忠 |
| 地址： | 200240*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 相变 存储器 系列 硫族化物 薄膜 材料 | ||
【权利要求书】：
1、一种用于相变存储器的含硅系列硫族化物相变薄膜材料，其特征在于，为硫族化物合金TeaSibSb100-(a+b)，其中48≤a≤60，8≤b≤40。
2、根据权利要求1所述的用于相变存储器的含硅系列硫族化物相变薄膜材料，其特征是，为相变介质Si22Sb22Te56、Si14Sb29Te57、或Si8Sb33Te59薄膜。
3、根据权利要求1或2所述的用于相变存储器的含硅系列硫族化物相变薄膜材料，其特征是，通过至少一个电脉冲来改变相变薄膜的电阻，并且电阻值在2倍至几个数量级范围内发生变化。
4、根据权利要求1或2所述的用于相变存储器的含硅系列硫族化物相变薄膜材料，其特征是，通过电脉冲实现相变薄膜从高阻态到低阻态之间的可逆转变。
5、根据权利要求1或2所述的用于相变存储器的含硅系列硫族化物相变薄膜材料，其特征是，通过调节电脉冲的高度和宽度使相变薄膜实现2个以上的、稳定的电阻值，从而实现多值存储。
6、根据权利要求1或2所述的用于相变存储器的含硅系列硫族化物相变薄膜材料，其特征是，通过至少一个激光脉冲来改变相变薄膜的反射率。
7、根据权利要求1或2所述的用于相变存储器的含硅系列硫族化物相变薄膜材料，其特征是，通过激光脉冲实现相变薄膜各反射率状态之间的可逆转变。
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