[发明专利]存储器的制造方法和存储器

权利要求书

1.一种存储器，其特征在于，包括：

第1电极膜；

存储材料膜，在所述第1电极膜上形成，包括存储部和薄膜部，其中，所述薄膜部厚度小于所述存储部的厚度，而且所述薄膜部的平均厚度在所述存储部厚度的15％以上；

第2电极膜，在所述存储材料膜的存储部上形成；

存储单元阵列区域，包含具有所述第1电极膜、所述存储材料膜、所述第2电极膜的单纯矩阵式的多个存储单元；

外围电路区域，在从平面上看与所述存储单元阵列区域不同的区域上形成，包含晶体管；以及

抑制氢的扩散的绝缘膜，以实质上全面覆盖所述存储单元阵列区域的形成有所述存储单元的区域的方式形成，不形成于包含所述晶体管的外围电路区域。

2.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，

所述薄膜部的平均厚度为所述存储材料膜的存储部厚度的95％以下。

3.根据权利要求1或2所述的存储器，其特征在于，

还具有连接所述存储单元阵列区域和所述外围电路区域的连接配线，

将所述存储材料膜图形化，从而至少使所述存储材料膜的薄膜部不存在于所述存储单元阵列区域的所述第1电极膜的上面和所述连接配线的连接区域附近。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的存储器，其特征在于，

所述第1电极膜包括第1下部电极膜、和形成于所述第1下部电极膜上的第2下部电极膜，

所述第1下部电极膜具有抑制氧扩散的功能。

5.根据权利要求1、2、4中任一项所述的存储器，其特征在于，

所述存储材料膜以覆盖所述第1电极膜的上面及侧面的方式形成。

6.根据权利要求1、2、4、5中任一项所述的存储器，其特征在于，还具备

具有一对源极/漏极区域的晶体管；和

与所述晶体管的源极/漏极区域中的一方相连接的导电性插件，

所述第1电极膜以与所述导电性插件接触的方式形成。