[发明专利]执行等离子化学气相沉积工艺的设备和制造光纤的方法

权利要求书

1.一种用于执行等离子化学气相沉积工艺的设备，通过该设备能够将一层或多层掺杂或不掺杂的二氧化硅沉积在细长玻璃基管的内部，该设备包括细长的微波波导管，该波导管伸入一个共振腔，该共振腔围绕一圆柱轴线呈大致圆柱形对称地形成，所述基管沿着该圆柱轴线设置，其中

所述共振腔为大致环形并具有圆柱形内壁和圆柱形外壁，并且其中

所述圆柱形内壁包括围绕所述圆柱轴线以整个圆形延伸的狭槽，并且其中

所述微波波导管具有纵向轴线，该纵向轴线大致垂直于所述圆柱轴线延伸，以形成同轴波导管，还具有相对于所述纵向轴线以一个角度延伸的轴线，以形成馈电波导管，天线能够沿着所述纵向轴线在所述同轴波导管中运动，其特征在于：

所述天线将所述馈电波导管分成两个部分。

2.如权利要求1所述的设备，其特征在于：将引导元件设置在馈电波导管的内部位于天线将馈电波导管分成两个部分的位置处，所述引导元件能够使微波从所述馈电波导管传递到同轴波导管。

3.如权利要求2所述的设备，其特征在于：所述引导元件具有锥形或者球形形状，该锥形或者球形的底面抵靠着馈电波导管的内壁。

4.如权利要求3所述的设备，其特征在于：在锥形或者球形对称分成两个部分的情况下，天线能够沿着纵向运动经过锥形或者球形的最高点。

5.如前述权利要求中任一项或多项所述的设备，其特征在于：在所述馈电波导管中存在能够沿着该馈电波导管的纵向轴线运动的元件，所述元件在馈电波导管的整个横截面上延伸。

6.如前述权利要求中任一项或多项所述的设备，其特征在于：位于圆柱形内壁中的狭槽包括间隔。

7.如前述权利要求中任一项或多项所述的设备，其特征在于：所述馈电波导管被设置成垂直于所述纵向轴线。

8.一种通过等离子化学气相沉积工艺制造光纤的方法，该方法包括如下步骤：

执行等离子化学气相沉积工艺，将一层或多层掺杂或不掺杂的二氧化硅沉积在细长玻璃基管的内表面上，

使所述基管经受热收缩处理，以形成实心预制件，

熔融所述实心预制件的一端，并从所述一端拉拔光纤，其特征在于：所述等离子化学气相沉积工艺在如权利要求1至7中任一项或多项所述的设备中进行，其中所述基管沿着圆柱轴线设置于共振腔的圆柱形内壁中，所述基管和所述共振腔大致同轴，并且所述共振腔沿着基管的长度往复地运动，以便将一层或多层掺杂或不掺杂的二氧化硅沉积在所述基管的内部。

9.如权利要求8所述的方法，其特征在于：在等离子化学气相沉积工艺过程中天线沿着同轴波导管的纵向轴线运动，以便优化微波从馈电波导管到同轴波导管的通路。

10.如前述权利要求8至9中任一项或多项所述的方法，其特征在于：在等离子化学气相沉积工艺过程中馈电波导管中的所述元件沿着该馈电波导管的纵向轴线运动，以便优化能量向等离子区的传递。