[发明专利]使用反转位线的虚接地阵列结构及其制造方法

权利要求书

1、一种虚接地阵列元件，其包括：

衬底；

第一位线；

第二位线；

字线；

第一扩散区域，所述第一位线配置为，当将足够的电压施加至所述第一位线时，会在所述第一扩散区域中或在所述第一扩散区域附近形成第一反转位线，

第二扩散区域，所述第二位线配置为，当将足够的电压施加至所述第二位线时，会在所述第二扩散区域中或在所述第二扩散区域附近形成第二反转位线，以及

在所述衬底上形成栅极结构，所述栅极结构连接所述字线并且配置为，当将足够的电压经由所述字线施加在所述栅极上时，会在所述衬底上、介于所述第一和第二反转位线之间形成沟道区域。

2、如权利要求1所述的虚接地阵列元件，其中，所述栅极结构包括多晶硅层以及栅极介质层。

3、如权利要求2所述的虚接地阵列元件，其中，所述栅极介质层包括氧化物-氮化物-氧化物层结构。

4、如权利要求1所述的虚接地阵列元件，还包括介质层，在所述第一和第二位线之下。

5、如权利要求4所述的虚接地阵列元件，其中，在所述第一和第二位线之下的所述介质层包括氧化物-氮化物-氧化物层结构。

6、如权利要求4所述的虚接地阵列元件，其中，在所述第一和第二位线之下的所述介质层包括氧化层。

7、如权利要求4所述的虚接地阵列元件，其中，在所述第一和第二位线之下的所述介质层包括氧化物-氮化物层结构。

8、如权利要求4所述的虚接地阵列元件，其中，在所述第一和第二位线之下的所述介质层包括在氧化物-氮化物层蚀刻过程之后所形成的剩余氧化层。

9、如权利要求4所述的虚接地阵列元件，其中，在所述第一和第二位线之下的所述介质层包括氧化物-氮化物-氧化物层蚀刻过程之后所形成的再生长氧化层。

10、如权利要求1所述的虚接地阵列元件，其中，所述第一反转位线是通过施加5至10伏特的电压至所述第一位线而形成。

11、如权利要求1所述的虚接地阵列元件，其中，所述第二反转位线是通过施加5至10伏特的电压至所述第二位线而形成。

12、如权利要求1所述的虚接地阵列元件，其中，所述第一和第二反转位线配置为分别传导来自所述第一和第二扩散区域的电压。

13、如权利要求1所述的虚接地阵列元件，还包括多个字线。

14、如权利要求1所述的虚接地阵列元件，其中，所述字线不与所述第一和第二位线平行。

15、如权利要求1所述的虚接地阵列元件，还包括氧化物隔离层，在所述第一和第二位线的每一侧。

16、一种制造使用反转位线的虚接地阵列元件的方法，所述方法包括：

在衬底上形成第一和第二扩散区域；

在所述衬底上形成多晶硅层；

图案化所述多晶硅层以形成沟渠，所述沟渠定义栅极结构并且定义第一和第二位线的区域，其中，为所述第一和第二位线所定义的所述区域位于所述第一和第二扩散区域附近，并且通过介质层与所述衬底分隔；

在所述沟渠所定义的区域内形成所述第一和第二位线，从而使得当将足够的电压施加至所述第一位线时，会在所述第一扩散区域中或在所述第一扩散区域附近形成第一反转位线，或当将足够的电压施加至所述第二位线时，会在所述第二扩散区域中或在所述第二扩散区域附近形成第二反转位线；以及

形成与所述栅极结构接触的字线。

17、如权利要求16所述的方法，还包括形成栅极介质层。

18、如权利要求17所述的方法，其中，所述栅极介质层包括氧化物-氮化物-氧化物层结构。

19、如权利要求16所述的方法，还包括在所述第一和第二位线之下形成介质层。

20、如权利要求19所述的方法，其中，在所述第一和第二位线之下形成所述介质层的步骤包括在所述衬底上形成氧化物-氮化物层结构。