[发明专利]适合于酸生成剂的盐和含有该盐的化学放大型正性抗蚀剂组合物

说明书

技术领域

本发明涉及一种适合于酸生成剂的盐，该酸生成剂用于在半导体精细 加工中使用的化学放大型抗蚀剂，并且涉及一种含有该盐的化学放大型正 性抗蚀剂组合物。

背景技术

用于采用光刻(lithography)法的半导体微型制造的化学放大型正性抗 蚀剂组合物含有酸生成剂，该酸生成剂包含通过辐照产生酸的化合物。

在半导体微型制造中，适宜的是形成具有高分辨率和优异图案形状的 图案，并且期望化学放大型抗蚀剂组合物产生这样的图案。

US 6548221 B2和US 6383713 B1公开了一种化学放大抗蚀剂组合物， 该组合物含有作为酸生成剂的全氟丁烷磺酸三苯锍。

JP 2004-4561 A也公开了一种化学放大抗蚀剂组合物，该组合物含有 作为酸生成剂的下式所示的盐等：

发明内容

本发明的一个目的是提供一种适合于酸生成剂的盐，所述酸生成剂能 够提供形成具有高分辨率和优异图案形状的化学放大抗蚀剂组合物。

本发明的另一个目的是提供所述盐的合成中间体，并且提供制备所述 合成中间体或所述盐的方法。

本发明的再一个目的是提供一种含所述盐的化学放大抗蚀剂组合物。

本发明的这些和其它目的将由以下的描述变得显而易见。

本发明涉及以下方面：

<1>一种式(I)表示的盐：

其中，X表示n-价连接基团，Y¹和Y²各自独立地表示氟原子或C1-C6全 氟烷基，n表示2或3，并且A⁺表示有机抗衡离子。

<2>根据<1>所述的盐，其中Y¹和Y²各自独立地表示氟原子或三氟甲基。

<3>根据<1>或<2>所述的盐，其中n为2。

<4>根据<1>至<3>中任何一项所述的盐，其中所述的有机抗衡离子是选自 式(IIa)表示的阳离子、式(IIb)表示的阳离子和式(IIc)表示的阳离子中的至 少一种阳离子，

在式(IIa)中，P¹、P²和P³各自独立地表示可以被选自羟基、C3-C12环烃 基和C1-C12烷氧基中的至少一个取代的C1-C30烷基；或者可以被选自羟 基和C1-C12烷氧基中的至少一个取代的C3-C30环烃基，

在式(IIb)中，P⁴和P⁵各自独立地表示氢原子、羟基、C1-C12烷基或C1-C12 烷氧基，以及

在式(IIc)中，P⁶和P⁷各自独立地表示C1-C12烷基或C3-C12环烷基，或 者P⁶和P⁷结合形成C3-C12二价无环烃基，该二价无环烃基与相邻的S⁺一起形成环，并且所述二价无环烃基中的至少一个-CH₂-任选被-CO-、-O- 或-S-取代，P⁸表示氢原子，P⁹表示可以被取代的C1-C12烷基、C3-C12 烷环基或者芳族基，或者P⁸和P⁹结合形成二价无环烃基，该二价无环烃 基与相邻的-CHCO-一起形成2-氧代环烷基，并且所述二价无环烃基中的 至少一个-CH₂-可以被-CO-、-O-或-S-取代。

<5>根据<1>至<3>中任何一项所述的盐，其中所述的有机抗衡离子是式 (IId)表示的阳离子：

其中，P¹⁰、P¹¹和P¹²各自独立地表示氢原子或C1-C4烷基。