[发明专利]半导体结构有效
| 申请号： | 200710106564.3 | 申请日： | 2007-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN101241931A | 公开（公告）日： | 2008-08-13 |
| 发明（设计）人： | 廖忠志;江木吉 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/36 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 | ||
1. 一种半导体结构，包括：
衬底；
第一栅极介电层，在该半导体衬底上；
第一栅极层，在该第一栅极介电层上；
第一轻掺杂源极及漏极区域，在该半导体衬底中，并邻接该第一栅极介电层，其中该第一轻掺杂源极及漏极区域包含砷元素；及
第一深层源极及漏极区域，在该半导体衬底中，并邻接该第一栅极介电层，其中该第一深层掺杂源极及漏极区域包含磷元素，其中在该第一深层源极及漏极区域中的第一磷结深大于在该第一深层源极及漏极区域中的第一砷结深3倍。
2. 如权利要求1所述的该半导体结构，其中该第一磷结深对该第一砷结深的比率为介于3至6之间。
3. 如权利要求1所述的该半导体结构，其中该半导体结构在存储器电路中。
4. 如权利要求1所述的该半导体结构，其中磷元素最高浓度对砷元素最高浓度的比率大于5。
5. 如权利要求1所述的该半导体结构，其中该第一栅极层的长度小于60纳米。
6. 如权利要求1所述的该半导体结构，还包含：
第二栅极介电层，在该半导体衬底上；
第二栅极层，在该第二栅极介电层上；
第二轻掺杂源极及漏极区域，在该半导体衬底中，并邻接该第二栅极介电层，其中该第二轻掺杂源极及漏极区域包含砷元素；
第二深层源极及漏极区域，在该半导体衬底中，并邻接该第二栅极介电层，其中该第二深层掺杂源极及漏极区域包含砷元素及磷元素，其中在该第二深层源极及漏极区域中的第二砷结深与第二磷结深为近似的深度。
7. 如权利要求6所述的半导体结构，其中该第二砷结深对该第二磷结深的比率为大于0.5。
8. 如权利要求7所述的半导体结构，其中在该第二深层源极及漏极区域的砷最高浓度为小于3×1020/cm3。
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