[发明专利]光学记录介质、信息记录方法、及信息再现方法有效
申请号: | 200710105869.2 | 申请日: | 2007-06-01 |
公开(公告)号: | CN101083100A | 公开(公告)日: | 2007-12-05 |
发明(设计)人: | 高泽孝次;森田成二;梅泽和代;森下直树;大寺泰章;安东秀夫;中村直正 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | G11B7/258 | 分类号: | G11B7/258;G11B7/242 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人: | 陈源;张天舒 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光学 记录 介质 信息 方法 再现 | ||
1.一种光学记录介质,包括:第一记录部分(L0),被放置在靠近接收光的表面的一侧上;和第二记录部分(L1),被放置在比所述第一记录部分(L0)远离所述接收光的表面的一侧上,所述第一记录部分(L0)和所述第二记录部分(L1)被以光的行进方向层叠,所述光学记录介质特征在于
第一记录部分(L0)具有低至高特性,其包括:
第一记录层(105),其中通过预定波长在405nm附近的光来记录/再现信息,和
第一反光层(106),其包括银或银合金,并具有大于或等于15nm且小于或等于35nm的厚度;并且
第二记录部分(L1)具有低至高特性,其包括:
第二记录层(107),其中通过预定波长在405nm附近的光来记录/再现信息,和
第二反光层(108),其包括银或银合金,并具有大于或等于60nm的厚度。
2.根据权利要求1的光学记录介质,其特征在于所述第二反光层的厚度是60nm或大于60nm并且是150nm或小于150nm。
3.根据权利要求1的光学记录介质,其特征在于所述第二记录部分包括通过所述光的施加而变形或变化的一个部分。
4.一种使用光学记录介质的记录方法,所述光学记录介质包括被放置在靠近接收光的表面的一侧上的第一记录部分(L0)和被放置在比所述第一记录部分(L0)远离所述接收光的表面的一侧上的第二记录部分(L1),所述第一记录部分(L0)和所述第二记录部分(L1)被以光的行进方向层叠,其中,第一记录部分(L0)具有低至高特性,其包括:第一记录层(105),其中通过预定波长在405nm附近的光来记录/再现信息,和第一反光层(106),其包括银或银合金,并具有大于或等于15nm且小于或等于35nm的厚度;并且第二记录部分(L1)具有低至高特性,其包括:第二记录层(107),其中通过预定波长在405nm附近的光来记录/再现信息,和第二反光层(108),其包括银或银合金,并具有大于或等于60nm的厚度,所述记录方法包括步骤:
在所述第一记录部分(L0)和/或所述第二记录部分(L1)中记录信息。
5.一种使用光学记录介质的再现方法,所述光学记录介质包括被放置在靠近接收光的表面的一侧上的第一记录部分(L0)和被放置在比所述第一记录部分(L0)远离所述接收光的表面的一侧上的第二记录部分(L1),所述第一记录部分(L0)和所述第二记录部分(L1)被以光的行进方向层叠,其中,第一记录部分(L0)具有低至高特性,其包括:第一记录层(105),其中通过预定波长在405nm附近的光来记录/再现信息,和第一反光层(106),其包括银或银合金,并具有大于或等于15nm且小于或等于35nm的厚度;并且第二记录部分(L1)具有低至高特性,其包括:第二记录层(107),其中通过预定波长在405nm附近的光来记录/再现信息,和第二反光层(108),其包括银或银合金,并具有大于或等于60nm的厚度,所述再现方法包括步骤:
从所述第一记录部分(L0)和/或所述第二记录部分(L1)中再现信息。
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