[发明专利]用于共平面开关模式液晶显示器的阵列基板及其制造方法

说明书

本申请要求享有2006年6月21日在韩国递交的韩国专利申请2006-0055781号的权益，在此引用其全部内容作为参考。

技术领域

本发明涉及用于共平面开关(IPS)模式液晶显示(LCD)器件的阵列基板，更具体地涉及具有修复图案的用于IPS模式LCD器件的阵列基板以及该阵列基板的制造方法。

背景技术

相关技术的液晶显示(LCD)器件利用液晶分子的光学各向异性和极化特性。由于液晶分子具有细而长的形状，液晶分子具有确定的排列方向。能够通过施加穿过液晶分子的电场来控制液晶分子的排列方向。换句话说，当电场的强度或方向改变时，液晶分子的排列也改变。由于液晶分子的光学各向异性，入射光基于液晶分子的取向而折射，所以能够通过控制光的透射率来显示图像。

最近，由于被称作有源矩阵LCD(AM-LCD)器件的包括作为开关元件的薄膜晶体管(TFT)的LCD器件具有高分辨率和显示动态图像的极好特性，因此AM-LCD器件已经得到广泛应用。

AM-LCD器件包括阵列基板、滤色片基板以及置于其间的液晶层。阵列基板可以包括像素电极和TFT，滤色片基板可以包括滤色片层和公共电极。通过像素电极和公共电极之间的电场来驱动AM-LCD器件。然而，由于AM-LCD器件使用垂直电场，因此AM-LCD器件具有很差的视角。

IPS模式LCD器件可以用于解决上述问题。图1为根据相关技术的IPS模式LCD器件的横截面图。如图1所示，阵列基板和滤色片基板间隔开并彼此相对。阵列基板包括第一基板10、公共电极17以及像素电极30。尽管未示出，阵列基板可以包括TFT、栅线以及数据线。滤色片基板包括第二基板9、滤色片层(未示出)，等等。液晶层11置于第一基板10和第二基板9之间。由于公共电极17和像素电极30在同一水平面上形成在第一基板10上，因此在公共电极17和像素电极30之间产生水平电场“L”。

图2A和2B为显示根据相关技术的IPS模式LCD器件开/关状态的横截面图。如图2A所示，当将电压施加于IPS模式LCD器件时，在公共电极17和像素电极30上方的液晶分子11a不改变。但是，由于水平电场“L”，在公共电极17和像素电极30之间的液晶分子11b水平排列。由于液晶分子按照水平电场排列，因此IPS模式LCD器件具有宽视角的特性。图2B示出了当未将电压施加于IPS模式LCD器件时的状态。因为在公共电极17和像素电极30之间未产生电场，所以液晶分子11的排列不改变。

图3为示出根据相关技术的用于IPS模式LCD器件的阵列基板的平面图。如图3所示，栅线43、公共线47和数据线60形成在第一基板40上。公共线47平行于栅线43并与栅线43间隔开。数据线60与栅线43交叉以限定像素区P。

TFT Tr包括栅极45、半导体层(未示出)、源极53和漏极55并且形成在栅线43和数据线60的交叉点上。栅极45连接到栅线43。栅极45可以为一部分栅线43。源极53连接到数据线60上并与漏极55间隔开。此外，多个像素电极70a和70b以及多个公共电极49a和49b形成在像素区p中。多个像素电极70a和70b以及多个公共电极49a和49b彼此平行并交替排列。多个像素电极70a和70b通过漏接触孔67连接到漏极55上。多个公共电极49a和49b连接到公共线47上。多个公共电极49a和49b可以从公共线47延伸出。

如上所述，由于公共电极和像素电极之间的水平电场，图3的IPS模式LCD器件具有宽视角。然而，这存在一些问题。具体地说，当在制造过程中例如数据线的电线断开时，很难修复断开的数据线，于是产品率降低。而且，尽管在图3中未示出，但是由于栅绝缘层和钝化层置于公共电极和像素电极之间，因此在公共电极和像素电极之间的电场未完全水平，从而将液晶分子驱动成难以预料的排列。此外，因为由栅绝缘层和钝化层而引起的公共电极和像素电极之间大量电场减少，所以耗电量增加。

发明内容

因此，本发明致力于提供一种用于IPS模式LCD器件的阵列基板及其制造方法，其能够基本上克服因相关技术的局限和缺点而带来的一个或多个问题。

本发明的附加优点和特征将在后面的说明书中得以阐明，部分从说明书中会显而易见地得到，或者可通过本发明的实践得知。本发明的目的和其他优点可通过书面说明书及其权利要求以及附图中具体指出的结构来实现和得到。