[发明专利]应用溅镀工艺在太阳能电池基板上制作薄膜的方法无效
| 申请号： | 200710104808.4 | 申请日： | 2007-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN101312223A | 公开（公告）日： | 2008-11-26 |
| 发明（设计）人： | 黄文瑞;林进章 | 申请（专利权）人： | 国硕科技工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L21/314 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 黄健 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 应用 工艺 太阳能电池 基板上 制作 薄膜 方法 | ||
1、一种应用溅镀工艺在太阳能电池基板上制作薄膜的方法，其特征在于，该方法包括：
使用溅镀法于太阳能电池基板上形成氧化硅薄膜、氮化硅薄膜、氮氧化硅薄膜或上述的组合。
2、如权利要求1所述的应用溅镀工艺在太阳能电池基板上制作薄膜的方法，其特征在于，于溅镀过程中导入氩气作为载气，并利用氧气或氮气作为反应气体。
3、如权利要求1所述的应用溅镀工艺在太阳能电池基板上制作薄膜的方法，其特征在于，所述的溅镀工艺包括直流溅镀法。
4、如权利要求1所述的应用溅镀工艺在太阳能电池基板上制作薄膜的方法，其特征在于，所述溅镀工艺使用的标靶材质包含硅，且该硅标靶的纯度为95.0％至99.999999％，该标靶的颗粒粒径为0.05微米至1.0微米。
5、如权利要求1所述的应用溅镀工艺在太阳能电池基板上制作薄膜的方法，其特征在于，溅镀过程中控制太阳能电池基板的温度为摄氏250至350度。
6、如权利要求1所述的应用溅镀工艺在太阳能电池基板上制作薄膜的方法，其特征在于，所述的溅镀方法的沉积速率为1至10nm/sec。
7、如权利要求1所述的应用溅镀工艺在太阳能电池基板上制作薄膜的方法，其特征在于，所述形成薄膜的厚度可至少为50nm。
8、如权利要求1或2所述的应用溅镀工艺在太阳能电池基板上制作薄膜的方法，其特征在于，溅镀过程中反应气体与载气气体的比例为5∶1至1∶1。
9、如权利要求1或2所述的应用溅镀工艺在太阳能电池基板上制作薄膜的方法，其特征在于，溅镀反应气体的流量为从50到200sccm。
10、如权利要求1所述的应用溅镀工艺在太阳能电池基板上制作薄膜的方法，其特征在于，载气气体的流量为从10到40sccm。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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