[发明专利]半导体器件及其制作方法

权利要求书

1.一种半导体结构，包括：

(a)半导体衬底；

(b)在所述半导体衬底上的电容器电极，

其中电容器电极包括掺杂剂，以及

其中所述电容器电极通过电容器电介质层与所述半导体衬底电绝缘；

(c)在所述电容器电极上的第一掺杂源极/漏极区，其中所述掺杂源极/漏极区电耦合到所述电容器电极；以及

(d)在所述电容器电极上的栅极电极，其中所述栅极电极部分地但不完全地与所述电容器电极重叠。

2.根据权利要求1所述的结构，其中所述第一掺杂源极/漏极区和所述电容器电极包括相同掺杂极性的掺杂剂。

3.根据权利要求1所述的结构，还包括：

栅极电介质区，其中所述第一掺杂源极/漏极区和所述栅极电极通过所述栅极电介质区相互电绝缘；

第二掺杂源极/漏极区，

其中所述第二掺杂源极/漏极区和所述第一掺杂源极/漏极区包括相同掺杂极性的掺杂剂，以及

其中所述第二掺杂源极/漏极区和所述栅极电极通过所述栅极电介质区相互电绝缘；以及

沟道区，

其中所述沟道区和所述第一掺杂源极/漏极区包括相反掺杂极性的掺杂剂，以及

其中所述沟道区设置于所述第一掺杂源极/漏极区与所述第二掺杂源极/漏极区之间。

4.根据权利要求1所述的结构，其中所述电容器电极和所述栅极电极相互电绝缘。

5.根据权利要求4所述的结构，其中所述电容器电极和所述栅极电极通过沟槽顶部氧化物相互电绝缘。

6.根据权利要求1所述的结构，其中所述第一掺杂源极/漏极区和所述电容器电极通过薄膜层电耦合在一起。

7.根据权利要求6所述的结构，其中所述薄膜层包括选自于包括氧化硅、氮化硅和碳化硅的组中的材料。

8.根据权利要求1所述的结构，其中所述第一掺杂源极/漏极区和所述电容器电极通过埋带区电耦合在一起。

9.根据权利要求1所述的结构，其中所述第一掺杂源极/漏极区与所述电容器电极重叠。

10.根据权利要求1所述的结构，其中所述电容器电极的宽度大于所述栅极电极的宽度。

11.一种半导体结构制作方法，包括：

提供半导体结构，所述半导体结构包括：

(a)半导体衬底；

(b)在所述半导体衬底上的电容器电极，

其中所述电容器电极通过电容器电介质层与所述半导体衬底电绝缘，以及

其中所述电容器电极包括掺杂剂，以及

(c)在所述半导体衬底上的半导体层，

其中所述半导体层包括沟槽，以及

其中所述沟槽部分地但不完全地与所述电容器电极重叠；以及

使得所述电容器电极的一些所述掺杂剂扩散到所述半导体层中，获得第一掺杂源极/漏极区，

其中所述第一掺杂源极/漏极区与所述电容器电极重叠，以及

其中所述第一掺杂源极/漏极区与所述沟槽的侧壁邻接。

12.根据权利要求11所述的方法，其中所述电容器电极包括掺杂多晶硅。

13.根据权利要求11所述的方法，其中所述第一掺杂源极/漏极区包括掺杂多晶硅。

14.根据权利要求11所述的方法，还包括：

在所述沟槽的所述侧壁上形成栅极电介质区；然后

以导电材料填充所述沟槽，获得栅极电极，其中所述第一掺杂源极/漏极区和所述栅极电极通过所述栅极电介质区相互电绝缘；以及然后

在所述半导体层中形成第二掺杂源极/漏极区，

其中沟道区设置于所述第一掺杂源极/漏极区与所述第二掺杂源极/漏极区之间，

其中所述第一掺杂源极/漏极区和所述第二掺杂源极/漏极区包括相同掺杂极性的掺杂剂，

其中所述第二掺杂源极/漏极区和所述栅极电极通过所述栅极电介质区相互电绝缘，以及

其中所述沟道区和所述第一掺杂源极/漏极区包括相反掺杂极性的掺杂剂。

15.根据权利要求14所述的方法，其中所述电容器电极和所述栅极电极相互电绝缘。