[发明专利]具有L型电极的电阻式随机存取存储器单元

权利要求书

1、一种存储器元件，其包含：

侧壁支持结构，具有侧壁；

第一电极，具有第一电极长度，包括沉积在所述侧壁支持结构的侧壁上的第一电极层；

侧壁隔离层绝缘装置，具有侧壁隔离层绝缘装置长度，包括沉积在所述第一电极上的部分第一隔离层；

第二电极，具有第二电极长度，包括沉积在所述第一隔离层上的第二隔离层，并且具有从所述第二隔离层延伸出的水平部分；

桥，具有桥宽度，所述桥从所述第一电极的上表面延伸至所述第二电极的上表面，并且横跨所述侧壁绝缘装置的上表面，其中，所述桥包含存储器材料；以及

导体，连接至所述第二电极的水平部分，并且垂直延伸至所述桥上的层结构。

2、如权利要求1所述的元件，其中，所述第一电极的长度和所述第二电极的长度足以提供电接点给所述桥，并且每个电极的长度小于30纳米。

3、如权利要求1所述的元件，其中，所述侧壁绝缘装置的长度小于30纳米。

4、如权利要求1所述的元件，其中，所述桥包含薄膜，其具有小于100纳米的桥长度，30纳米或更小的厚度，以及50纳米或更小的宽度。

5、如权利要求1所述的元件，其中，所述桥的体积介于8,000立方纳米和75,000立方纳米之间。

6、如权利要求1所述的元件，其中，所述桥包含薄膜，其具有10纳米或更小的厚度，以及40纳米或更小的宽度。

7、如权利要求1所述的元件，还包括第三侧壁隔离层，其包含沉积在所述第二隔离层上的部分第三隔离层。

8、如权利要求7所述的元件，其中，所述第三侧壁隔离层是第二侧壁隔离层绝缘装置。

9、如权利要求8所述的元件，其中，所述第二侧壁隔离层绝缘装置、所述第二电极、所述侧壁隔离层绝缘装置、所述第一电极以及所述侧壁支持结构形成平坦化表面的一部分，所述桥被沉积在所述平坦化表面的所述部分上。

10、如权利要求1所述的元件，其中，所述存储器材料有至少两种固态相，其可以通过电流来可逆地诱发。

11、如权利要求1所述的元件，其中，所述存储器材料有至少两种固态相，其可以通过在所述第一电极与所述第二电极之间施加电压来可逆地诱发。

12、如权利要求1所述的元件，其中，所述存储器材料具有至少两种固态相，其包含非晶相以及结晶相。

13、如权利要求1所述的元件，其中，所述水平部分的长度小于300纳米。

14、如权利要求1所述的元件，其中，所述导体包含接点插栓，并且所述第二电极的所述水平部分的长度是足以连接所述接点插栓的长度加上用于形成所述接点插栓的制造技术的对准公差。

15、如权利要求1所述的元件，其中，在所述第一电极和所述桥之间的接点面积不大于1,500平方纳米。

16、如权利要求1所述的元件，其中，所述桥包含由锗、锑和碲组成的合金。

17、如权利要求1所述的元件，其中，所述桥包含从锗，锑，碲，硒，铟，钛，镓，铋，锡，铜，钯，铅，银，硫，金的群组中的两种或多种元素组成的合金。

18、如权利要求1所述的元件，其中，所述第一电极和第二电极包含从钛，钨，钼，铝，钽，铜，铂，铱，镧，镍，钌，以及其合金所组成的群组中选择的元素。