[发明专利]从有机氨基硅烷前体制备氧化硅薄膜的方法

权利要求书

1.一种在底物上形成氧化硅薄膜的方法，该方法包括：

通过将氧化剂与下式表示的硅烷前体反应，以化学气相淀积方 法在底物上形成氧化硅薄膜，

其中R和R¹是异丙基。

2.权利要求1的方法，其中所述的氧化剂选自氧气、过氧化氢、 臭氧和一氧化氮。

3.权利要求1或2的方法，其中碳源和氢源被掺入到沉积室内 用于形成掺杂了碳和氢的氧化硅薄膜。

4.权利要求3的方法，其中氮源被掺入到沉积室内用于形成掺 杂了碳、氮和氢的氧化硅薄膜。

5.一种通过化学气相淀积法在化学气相淀积室内在底物上制备 氧化硅介电层的方法，该方法包括：在使二异丙基氨基硅烷与氧化 剂反应的条件下将所述二异丙基氨基硅烷和所述氧化剂引入到所述 的化学气相淀积室内并且在所述的底物上沉积氧化硅层。

6.权利要求5的方法，其中所述的氧化剂选自臭氧、氧气、一 氧化氮和过氧化氢。

7.权利要求6的方法，其中在所述化学气相淀积室内使用350 -700℃的温度和0.1-500托的压力。

8.权利要求6的方法，其中氧化剂与二异丙基氨基硅烷的摩尔 比是每摩尔二异丙基氨基硅烷使用0.1-10摩尔氧化剂。

9.一种通过化学气相淀积法在化学气相淀积室内在底物上制备 氧氮化硅介电层的方法，该方法包括：

在使二异丙基氨基硅烷与氧化剂和氮源反应的条件下将所述二 异丙基氨基硅烷、所述氮源和所述氧化剂引入到所述的化学气相淀 积室内，从而在所述的底物上沉积氧氮化硅层。

10.权利要求9的方法，其中所述的氧化剂选自臭氧、氧气、 一氧化氮和过氧化氢。

11.权利要求9的方法，其中所述的氮源选自氨、肼、烷基肼、 二烷基肼及其混合物。

12.权利要求1、5或9任一项的方法，其中所述化学气相淀积 是原子层沉积法。