[发明专利]用于减小重置相变存储器件的存储单元中的部分相变材料用的重置电流的方法及相变存储器件

权利要求书

1.一种用于减小重置电流的方法，该重置电流重置相变存储器件的存储单元中的部分相变材料，该方法包括：

将包括第一晶相的至少部分相变材料转变为第二晶相和非晶相之一，与第一晶相相比，第二晶相更容易转变为非晶相。

2.根据权利要求1的方法，其中第一晶相具有六边形闭合密集结构。

3.根据权利要求2的方法，其中第二晶相具有面心立方结构。

4.根据权利要求1的方法，其中第二晶相具有面心立方结构。

5.根据权利要求1的方法，其中该转变步骤执行热处理，以将第一晶相转变为第二晶相和非晶相之一。

6.根据权利要求5的方法，其中该热处理是在大于相变材料的熔化温度的温度下的快速热退火，以将第一晶相转变为非晶相。

7.根据权利要求5的方法，其中，在该转变步骤之后，该方法包括：

将至少部分相变材料转变为第二晶相。

8.根据权利要求7的方法，其中该转变步骤在低于相变材料的熔化温度的温度下烘焙该相变存储器件一段时间。

9.根据权利要求1的方法，其中该转变步骤施加电流到相变材料。

10.根据权利要求9的方法，其中如果不执行该转变步骤，那么该施加电流大于重置电流。

11.权利要求10的方法，其中如果不执行该转变步骤，那么施加电流大于或等于1.1倍重置电流。

12.根据权利要求10的方法，其中当施加电流增加时，该转变步骤之后的重置电流减小。

13.根据权利要求10的方法，其中该转变步骤施加电流，以便该转变步骤之后的重置电流小于该转变步骤之前的重置电流至少20％。

14.根据权利要求10的方法，其中该转变步骤施加具有一脉冲宽度的电流，以便第一晶相转变为非晶相。

15.根据权利要求10的方法，其中该转变步骤施加具有一脉冲宽度的电流，以便第一晶相转变为第二晶相。

16.根据权利要求9的方法，其中，在该转变步骤之前，该方法包括：

将不处于第一晶相的部分相变材料转变为第一晶相。

17.根据权利要求16的方法，其中该转变步骤在低于相变材料的熔化温度的温度下烘焙该相变存储器件一段时间。

18.根据权利要求16的方法，其中该转变步骤仅仅转变部分相变材料，以便相变材料的剩余部分保持第一晶相。

19.根据权利要求1的方法，其中第一晶相具有低于第二晶相的电阻。

20.一种用于减小重置电流的方法，该重置电流重置相变存储器件的存储单元中的部分相变材料，该方法包括：

将处于混合相态的至少部分相变材料转变为单相状态。

21.根据权利要求20的方法，其中该转变步骤将处于混合晶相态的至少部分相变材料转变为单相状态。

22.根据权利要求21的方法，其中该单相态是非晶相。

23.根据权利要求21的方法，其中该单相态是单晶相。

24.一种减小重置电流的方法，该重置电流用于重置相变存储器件的存储单元中的部分相变材料为非晶相，该方法包括：

施加电流到相变材料，以便施加步骤之后相变材料的重置电流小于施加步骤之前的重置电流。

25.根据权利要求24的方法，其中该施加步骤施加电流，以便施加步骤之后的设置电阻小于施加步骤之前的设置电阻，如果设为晶相，该设置电阻是部分相变材料的电阻。

26.根据权利要求24的方法，其中该施加步骤施加电流，以便设置电阻和重置电阻之间的余量增加，如果设为晶相，那么设置电阻是部分相变材料的电阻，以及如果设为非晶相，那么重置电阻是部分相变材料的电阻。