[发明专利]光掩模和曝光方法有效

专利信息
申请号: 200710103488.0 申请日: 2007-05-18
公开(公告)号: CN101075086A 公开(公告)日: 2007-11-21
发明(设计)人: 宅岛克宏;安井孝史 申请(专利权)人: HOYA株式会社;松下电器产业株式会社
主分类号: G03F1/00 分类号: G03F1/00;G03F1/14;G03F7/20
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 孙纪泉
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 光掩模 曝光 方法
【权利要求书】:

1.一种光掩模,所述光掩模用于使用曝光设备的图样转移,所述光 掩模包括:

透明衬底;

需求的转移图样,所述需求的转移图样形成在透明衬底的中心部分的 主要区域内;

遮光带区域,所述遮光带区域在所述主要区域的外周边区域内邻近所 述主要区域,用于防止图样由于泄露的光线转移到所述主要区域的外周边 区域;和

护膜,通过将护膜框架粘附到所述主要区域的外周边区域上,所述护 膜安装成覆盖包括所述主要区域和所述遮光带区域的区域,其中所述光掩 模包括在所述主要区域的外周边区域内的光透射区域,所述透明衬底在所 述光透射区域内被露出;和包括护膜框架粘附到其上的表面的区域,所述 包括护膜框架粘附到其上的表面的区域由遮光区域形成,所述遮光区域形 成有遮光薄膜,所述遮光薄膜具有对所述曝光设备的曝光光线的遮光特 性,

其中所述遮光区域形成为具有将所述护膜框架的两侧的宽度分别增 加0.3mm以上且5.0mm以下的宽度,并与所述遮光带区域被所述光透射 区域隔开。

2.根据权利要求1所述的光掩模,其中所述转移图样为通过使用负 性光刻胶形成的图样。

3.根据权利要求1所述的光掩模,其中所述曝光设备的曝光光线是 当所述护膜框架和/或在所述护膜中使用的粘合剂被此光线照射时,引起所 述护膜框架和/或所述粘合剂的组成材料的光致反应的光线。

4.根据权利要求1所述的光掩模,其中所述曝光设备的曝光光线是 具有200nm或更小的波长的激光束。

5.一种光掩模的制造方法,所述光掩模用于使用曝光设备的图样转 移,并安装有护膜,所述制造方法包括以下步骤:

通过对透明衬底上所形成的遮光薄膜进行图案形成,分别形成转移用 图样、遮光带区域、遮光区域、使所述透明衬底露出的光透射区域,

所述转移用图样形成在所述透明衬底的中心部分的主要区域内,

所述遮光带区域在所述主要区域的外周边区域内邻近所述主要 区域,用于防止图样由于泄露的光线转移到所述主要区域的外周边区域,

所述光透射区域形成在所述主要区域的外周边区域内,

所述遮光区域以通过所述光透射区域与所述遮光带区域隔开的 方式形成在所述主要区域的外周边区域内,并且所述遮光区域形成为包括 粘附护膜框架的表面的区域对所述曝光光线具有遮光特性,

通过配合所述遮光区域来粘附所述护膜框架,所述主要区域和所述遮 光带区域被所述护膜覆盖,

其中所述遮光区域具有将所述护膜框架的两侧的宽度分别增加 0.3mm以上且5.0mm以下的宽度。

6.根据权利要求5所述的光掩模的制造方法,其中在所述转移用图 样和所述遮光区域之间形成由所述遮光薄膜构成的遮光带区域。

7.根据权利要求5所述的光掩模的制造方法,其中所述转移用图样 是通过使用负性光刻胶形成的图样。

8.根据权利要求5所述的光掩模的制造方法,其中所述遮光薄膜包 括半透过薄膜。

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