[发明专利]像素结构及其驱动方法有效
| 申请号: | 200710103437.8 | 申请日: | 2007-05-11 |
| 公开(公告)号: | CN101304032A | 公开(公告)日: | 2008-11-12 |
| 发明(设计)人: | 张纾语;刘文雄 | 申请(专利权)人: | 中华映管股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L23/522;G02F1/1362 |
| 代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 左一平 |
| 地址: | 台湾省台北*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 像素 结构 及其 驱动 方法 | ||
1.一种像素结构,包括:
一基板;
一第一扫描线,配置于该基板上;
一第二扫描线,配置于该基板上;
一第三扫描线,配置于该基板上,其中该第二扫描线与该第三扫描线电性相连;
一数据线,配置于该基板上;
一第一薄膜晶体管,配置于该基板上,并电性连接至该第一扫描线与该数据线;
一第二薄膜晶体管,配置于该基板上,并电性连接至该第一薄膜晶体管与该第二扫描线;
一第三薄膜晶体管,配置于该基板上,并电性连接至该第三扫描线与该数据线;
一第一像素电极,配置于该基板上,并电性连接至该第二薄膜晶体管;以及
一第二像素电极,配置于该基板上,并电性连接至该第三薄膜晶体管。
2.如权利要求1所述的像素结构,其特征在于,该第一像素电极与该第二像素电极位于该第二扫描线与该第三扫描线之间。
3.如权利要求1所述的像素结构,其特征在于,该第一薄膜晶体管具有一第一漏极,而该第二薄膜晶体管具有一第二源极,且该第一漏极与该第二源极电性连接。
4.如权利要求1所述的像素结构,其特征在于,还包括一共用配线,配置于该基板上,且该第一像素电极与该第二像素电极分别与部分该共用配线重叠。
5.如权利要求1所述的像素结构,其特征在于,还包括多个配向构件,配置于该第一像素电极与该第二像素电极上。
6.如权利要求5所述的像素结构,其特征在于,该些配向构件包括配向凸起物或狭缝。
7.一种像素结构的驱动方法,适于驱动如权利要求1所述的像素结构,该像素结构的驱动方法包括:
经由该第一扫描线、该第二扫描线与该第三扫描线开启该第一薄膜晶体管、该第二薄膜晶体管与该第三薄膜晶体管;
经由该数据线将一第一数据电压分别输入至该第一像素电极与该第二像素电极;
经由该第一扫描线关闭该第一薄膜晶体管,并经由该第二扫描线与该第三扫描线开启该第二薄膜晶体管与该第三薄膜晶体管;以及
经由该数据线将一第二数据电压输入至该第二像素电极,其中该第一数据电压与该第二数据电压不相同。
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H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





